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2D Dopant Profiling for Advanced Process Control

机译：2D掺杂剂分析，用于高级过程控制

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As the CMOS device dimensions continue to shrink, it is more and more critical to control the process parameters during mass production of advanced VLSI chips in order to achieve high yield and profitability. 2D dopant characterization is one of the critical techniques to resolve manufacturing excursions. A quick access to dopant distribution, especially precise delineation of p-n junction would readily provide critical information for many manufacturing issues, as well as device design and process development. Here we present our approaches to some of those issues with available techniques. The main techniques we used are dopant selective etching (DSE) and scanning probe microscopy based electrical measurements including scanning capacitance microscopy (SCM) and scanning spread resistance microscopy (SSRM). These techniques provided complementary results and showed strengths in solving different issues. We have successfully delineated junction of CMOS devices with 0.13 μm technology with source/drain extensions. Other applications, including diode leakage, well-well isolation, and buried layer delineation with the combination of these methods are presented.
机译：作为CMOS器件尺寸持续缩小，它是越来越重要，以控制，以实现高产量和收益率大规模生产的先进的VLSI芯片时的工艺参数。 2D掺杂表征的关键技术，解决生产游览之一。甲快速访问掺杂物分布，尤其是p-n结的精确划定将容易地提供许多制造问题的关键信息，以及设备设计和工艺开发。在这里，我们提出我们的方法来一些与现有技术的这些问题。我们所使用的主要技术是掺杂剂的选择性蚀刻（DSE）和扫描探针显微镜基于电测量，包括扫描电容显微镜（SCM）和扫描扩展电阻显微镜（SSRM）。这些技术的互补的结果，并显示在解决不同问题的优势。我们已经成功地划定CMOS器件的连接点与0.13微米技术，源极/漏极扩展。其他应用中，包括二极管泄漏，以及阱隔离，并用这些方法的组合埋层划定被呈现。

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