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【24h】

ALD Growth of PbTe and PbSe Superlattices for Thermoelectric Applications

机译：用于热电应用的PBTE和PBSE超晶格的ALD生长

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For this study PbTe and PbSe thin films have been prepared on silicon substrates with native oxide by Atomic Layer Deposition (ALD) using lead(II)bis(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato) (Pb(C_(11)H_(19)O_2)_2), (trimethylsilyl) telluride ((Me_3Si)_2Te) and bis-(triethyl silyl) selane ((Et_3Si)_2Se) as ALD precursors for lead, tellurium and selenium. Instead of classic layer-by-layer ALD growth the initial ALD nucleation of lead telluride was found to follow the Volmer-Weber island growth model. We found a strong dependence of the nucleation process on the temperature. In this paper, we present the optimized conditions for growing PbTe and PbSe thin films within the ALD process window range of 170 °C to 210 °C and discuss an early nano-scale PbTe/PbSe bilayer structure. Results of various physical characterizations techniques and analysis are reported.
机译：对于该研究，通过使用铅（II）双（2,2,6,6-四甲基-3,5-庚烷酯）（2,2,6,6-四甲基-3,5-庚烷）（Pb（Pb），在具有天然氧化物的硅底物上制备PBTE和PBSE薄膜。（PB（ C_（11）H_（19）O_2）_2），（三甲基甲硅烷基）碲化肽（（ME_3SI）_2te）和双 - （三乙基甲硅烷基）甲烷（（ET_3SI）_2SE）作为铅，碲和硒的ALD前体。代替经典的层族ALD生长，发现铅碲化酰胺的初始ALD成核遵循Volmer-Weber岛生长模型。我们发现成核过程对温度的强烈依赖。在本文中，我们介绍了在ALD处理窗口范围内的PBTE和PBSE薄膜在170℃至210℃的范围内的优化条件，并讨论早期纳米级PBTE / PBSE双层结构。报道了各种物理特征技术和分析的结果。

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