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首页> 外文会议>ECSCRM 2012 >Silicon Nitride as Top Gate Dielectric for Epitaxial Graphene
【24h】

Silicon Nitride as Top Gate Dielectric for Epitaxial Graphene

机译：作为外延石墨烯的氮化硅作为顶栅电介质

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Silicon nitride (SiN) was deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) as a top gate dielectric on epitaxial graphene on 6H-SiC(0001). We compare x-ray photoelectron spectroscopy (XPS), Raman spectroscopy, and transport measurements which were performed before and after the SiN deposition. We demonstrate that closed layers of SiN are formed without the need for surface activation and that the plasma process leads only to a minor degradation of the graphene. The SiN layer induces strong n-type doping. For a limited gate voltage range, a small hysteresis of 0.2 V is observed in top-gated field effect devices.
机译：通过等离子体增强的化学气相沉积（PECVD）沉积氮化硅（SiN）作为6H-SiC（0001）上外延石墨烯上的顶栅电介质。我们比较X射线光电子体光谱（XPS），拉曼光谱和在SIN沉积前后进行的传输测量。我们证明，没有需要表面激活的情况，形成封闭的罪层，并且等离子体处理仅导致石墨烯的微小降解。 SIN层诱导强的n型掺杂。对于有限的栅极电压范围，在顶部门控场效果装置中观察到0.2V的小滞后。

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