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A high-g Overload protected Accelerometer with a novel Microstructure

机译：具有新型微结构的高克过载保护加速度计

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A high-g overload protected piezoresistive accelerometer with the cave form section and two-end-fixed beams was introduced in this paper. Based on the finite element method (FEM) simulation, an optimal design of the microstructure was presented. The accelerometer was fabricated by standard IC process, ICP plasma etching and silicon anodic bonding technique. The testing results show that the accelerometer can bear 20,000g shock, the non-linearity reaches to 0.5% in the ±50g full scale, sensitivity reaches 0.8mV/g, and the operation frequency range is from DC to 2kHz.
机译：介绍了一种具有洞穴形截面和两端固定梁的高克过载保护压阻式加速度传感器。基于有限元方法（FEM）仿真，提出了组织的优化设计。加速度计是通过标准IC工艺，ICP等离子体蚀刻和硅阳极键合技术制造的。测试结果表明，该加速度计可承受20,000g的冲击，在±50g满量程下非线性度达到0.5％，灵敏度达到0.8mV / g，工作频率范围为DC至2kHz。

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