Tamagawa Univ., Engineering Dept., 6-1-1 Tamagawa-Gakuen, Machida, Tokyo 194-8610 Japan;
scatterometry; semiconductor; silicon; trench measurements; gaussian beam; ADI-FDTD method;
机译:短路条件下电力变压器绕组的漏磁通和力计算:基于图像理论和有限元方法的2D和3D模型与测量结果进行比较
机译:使用无条件稳定的3D ADI-FDTD方法分析平面电路
机译:时域多传感器GPR仿真的FDTD和波前逆方法快速建模
机译:使用FDTD方法和时间缩短计算方法,3D隔离和周期凹槽通过散射测量来测量模拟半导体电路
机译:改进电磁问题的时差有限差分(FDTD)模拟的方法
机译:时间分辨太赫兹光谱法和Hall Van der Pauw方法的直接比较用于测量体半导体中的载流子电导率和迁移率
机译:开发方法计算AC电路中半导体装置的态态过电压计算