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对半导体集成电路进行门级别仿真的方法和装置

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摘要

一种对半导体集成电路(IC)进行门级别仿真的方法，包括：提供包括关于可变电源和可变地源的信息的网表，提供包括可变电源和可变地源的电路模型，以及通过使用电路模型对网表进行门级别仿真。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2010-05-05

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G06F17/50 申请公布日:20080213 申请日:20070808

发明专利申请公布后的视为撤回
2008-02-13

公开

公开

1. 对半导体集成电路进行门级别仿真的方法和装置 [P] . 中国专利： CN101122932A . 2008-02-13
2. 用于对半导体器件进行仿真的设备和相关操作方法 [P] . 中国专利： CN104036064B . 2018.12.07
3. METHOD OF WIRING SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT BY THIS METHOD [P] . 日本专利： JPH053260A . 1993-01-08

机译：用这种方法对半导体集成电路和半导体集成电路进行布线的方法
4. A semiconductor integrated circuit device including a revision number indicating the design version of said device and a method of prototyping a semiconductor [P] . 英国专利： GB2467873A . 2010-08-18

机译：包括指示所述装置的设计版本的修订号的半导体集成电路装置以及对半导体进行原型制作的方法
5. A semiconductor integrated circuit device including a revision number indicating the design version of said device and a method of prototyping a semiconductor [P] . 英国专利： GB201009613D0 . 2010-07-21

机译：包括指示所述装置的设计版本的修订号的半导体集成电路装置以及对半导体进行原型制作的方法