Evidence for an Intraband Auger Effect in InAs/InGaAlAs/InP Quantum Dot Structures

著录项

• 来源
  《Microelectronics Technology and Devices-SBMicro 2008》|2008年|467-471|共5页
• 会议地点 Gramado(BR);Gramado(BR);Gramado(BR);Gramado(BR);Gramado(BR);Gramado(BR)
• 作者

  T. Gebhard; D. Alvarenga; P. L. Souza; P. S. S. Guimaraes; K. Unterrainer; M. P. Pires; G. S. Vieira; J. M. Villas-Boas;

  展开▼
• 作者单位

  Photonics Institute, Technische Universitaet-Wien, A-1040 Vienna, Austria;

  Departamento de Fisica, Universidade Federal de Minas Gerais, 30123-970, Belo Horizonte, Brazil;

  LabSem/CETUC, Pontificia Universidade Catolica, Rio de Janeiro, 22451-900, Brazil;

  Departamento de Fisica, Universidade Federal de Minas Gerais, 30123-970, Belo Horizonte, Brazil;

  Photonics Institute, Technische Universitaet-Wien, A-1040 Vienna, Austria;

  Institute de Fisica, Universidade Federal do Rio de Janeiro, 21945-970, Rio de Janeiro, Brazil;

  Divisao de Fisica Aplicada, Institute de Estudos Avancados, 12228-001, Sao Jose dos Campos, Brazil;

  Departamento de Fisica, Universidade Federal de Minas Gerais, 30123-970, Belo Horizonte, Brazil Divisao de Fisica Aplicada, Institute de Estudos Avancados, 12228-001, Sao Jose dos Camp;

  展开▼
• 会议组织
• 原文格式 PDF
• 正文语种 eng
• 中图分类 微电子学、集成电路（IC）;
• 关键词