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首页> 外文会议>Microelectronics technology and devices - SBMicro 2010 >a-Si:H Thin Films Deposited at Low Temperature by Sputtering
【24h】

a-Si:H Thin Films Deposited at Low Temperature by Sputtering

机译：通过溅射在低温下沉积的a-Si：H薄膜

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摘要

The a-Si:H is a semiconductor material of great interest in microelectronic due its capability of being used in application that are difficult to be implemented with monocrystalline silicon with a relative low cost. As a-Si:H thin films can be obtained in low deposition temperature, typically from 80 °C to 250 °C (1), it is possible to use a large variety of substrates, such as plastic or glass (2), which attribute different applicability to these films. In this way, this material has been used for device fabrication such as thin film transistor for LCD displays, light sensing detectors, imaging devices, light emitting diodes and thin film solar cells, playing an import task in the technological development (3).
机译：a-Si：H是微电子领域中非常受关注的半导体材料，因为它的应用能力难以用相对较低的成本用单晶硅实现。由于可以在低沉积温度（通常为80°C至250°C）下获得a-Si：H薄膜（1），因此可以使用各种各样的衬底，例如塑料或玻璃（2）赋予这些电影不同的适用性。通过这种方式，这种材料已被用于制造设备，例如用于LCD显示器的薄膜晶体管，光敏检测器，成像设备，发光二极管和薄膜太阳能电池，在技术发展中起着重要的作用（3）。

著录项

  • 来源
  • 会议地点 Sao Paulo(BR);Sao Paulo(BR)
  • 作者

    C. C. P. Nunes; L. S. Zambom; R. D. Mansano;

  • 作者单位

    Laboratorio de Sistemas Integraveis - PS1 - EPUSP, S3o Paulo, SP 05508-010, Brazil;

    rn Departamento de Materiais, Processos e Componentes Eletronicos, Faculdade de Tecnologia de Sao Paulo, S3o Paulo, SP 01124-060, Brazil;

    Laboratorio de Sistemas Integraveis - PS1 - EPUSP, S3o Paulo, SP 05508-010, Brazil;

  • 会议组织
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 半导体技术;
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