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【24h】

Atomic Layer Deposition of High-k Gate Dielectrics Using MO Precursor and Cyclic Plasma Exposure

机译：使用MO前驱物和循环等离子体暴露的高k栅极电介质的原子层沉积

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We have successfully achieved an ALD like deposition of ZrO_2 or HfO_2 by using a MO precursor. The MO precursor used in this study was zirconium tetra-tert-butoxide (ZTB) Zr(t-OC(CH_3)_3)_4 and hafnium tetra-tert-butoxide (HTB) Hf(t-OC(CH_3)_3)_4. Because MO precursors are very sensitive to H_2O, we used oxygen plasma as an oxidizer instead of H_2O in order to reduce background H_2O pressure and suppress the background reaction. As a result, we successfully achieved an ALD-like deposition proved by a self-limiting adsorption of MO precursor. The carbon content in the films was suppressed due to highly reactive oxygen plasma. The leakage current of the film with plasma oxidation is much lower than that of film with H_2O oxidation. Thus, MO-ALD using a plasma oxidation is a promising candidate for the high-k gate deposition process.
机译：我们已经成功地通过使用MO前体实现了类似ZrO_2或HfO_2的ALD沉积。在这项研究中使用的MO前驱体是四叔丁醇锆（ZTB）Zr（t-OC（CH_3）_3）_4和tetra四叔丁氧化物（HTB）Hf（t-OC（CH_3）_3）_4。由于MO前体对H_2O非常敏感，因此我们使用氧等离子体代替H_2O作为氧化剂，以降低背景H_2O压力并抑制背景反应。结果，我们成功地实现了MO前体的自限吸附，证明了ALD类沉积。膜中的碳含量由于高反应性氧等离子体而被抑制。等离子体氧化膜的泄漏电流远低于H_2O氧化膜的泄漏电流。因此，使用等离子体氧化的MO-ALD是高k栅极沉积工艺的有希望的候选者。

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