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1.
Atomic Structure, Band Offsets and Hydrogen in High K oxide:Silicon interfaces
机译:
高K氧化物:硅界面中的原子结构,能带偏移和氢
作者:
J Robertson
;
P W Peacock
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
|
2002年
2.
First Principles Modeling Of High-K Dielectric Materials
机译:
高介电常数材料的第一原理建模
作者:
Gyuchang Jun
;
Kyeongjae Cho
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
|
2002年
3.
First-principles Study of Electronic and Dielectric Properties of ZrO_2 and HfO_2
机译:
ZrO_2和HfO_2的电子和介电性质的第一性原理研究
作者:
Xinyuan Zhao
;
David Vanderbilt
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
|
2002年
4.
Conduction Mechanisms in SrTiO_3 Thin Films on Silicon
机译:
硅上SrTiO_3薄膜中的导电机理
作者:
Bogdan Mereu
;
George Sarau
;
Marin Alexe
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
|
2002年
5.
Growth Temperature Effects on Deep-Levels in Si Grown by Low Temperature Molecular Beam Epitaxy
机译:
生长温度对低温分子束外延生长硅深层的影响
作者:
Sung-Yong Chung
;
Paul R. Berger
;
Z-Q. Fang
;
Phillip E. Thompson
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
|
2002年
6.
Ultrathin Zirconium Dioxide Chemically Deposited at a Low Thermal Budget
机译:
以低热预算化学沉积超薄二氧化锆
作者:
Stefan Harasek
;
Heinz D. Wanzenboeck
;
Helmut Langfischer
;
Emmerich Bertagnolli
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
|
2002年
7.
High κGate Dielectrics For Si And Compound Semiconductors By Molecular Beam Epitaxy
机译:
分子束外延技术用于硅和化合物半导体的高κ门介电体
作者:
J. Raynien Kwo
;
Minghwei Hong
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
|
2002年
8.
Copper Diffusion Characteristics in Single Crystal and Polycrystalline TaN
机译:
单晶和多晶TaN中的铜扩散特性
作者:
H. Wang
;
Ashutosh Tiwari
;
X. Zhang
;
A. Kvit
;
J. Narayan
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
|
2002年
9.
Influence of Substrate Temperature During Sputter Deposition on the Subsequent Formation of Titanium Disilicide
机译:
溅射沉积过程中衬底温度对随后形成的二硅化钛的影响
作者:
A. S. Oezcan
;
K. F. Ludwig
;
Jr.
;
C. Cabral
;
Jr.
;
C. Lavoie
;
J. M. E. Harper
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
|
2002年
10.
Effect of Post-Metallization Hydrogen Annealing on C-V Characteristic of Zirconia Grown Using Atomic Layer Deposition
机译:
金属化后氢气退火对原子层沉积生长的氧化锆C-V特性的影响
作者:
Arpan Chakraborty
;
Anil U. Mane
;
S. A. Shivashankar
;
V. Venkataraman
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
|
2002年
11.
Characteristics of Ultra Shallow B Implantation with Decaborane
机译:
十硼烷超浅B植入的特征
作者:
Cheng Li
;
Maria A. Albano
;
Leszek Gladczuk
;
Marek Sosnowski
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
|
2002年
12.
ALD HfO_2 surface preparation study
机译:
ALD HfO_2表面制备研究
作者:
Annelies Delabie
;
M. Caymax
;
J. W. Maes
;
P. Bajolet
;
B. Brijs
;
E. Cartier
;
T. Conard
;
S. De Gendt
;
O. Richard
;
W. Vandervorst
;
C. Zhao
;
M. Green
;
W. Tsai
;
M. M. Heyns
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
|
2002年
13.
2D Dopant Profiling for Advanced Process Control
机译:
用于高级过程控制的2D掺杂物分析
作者:
Xiang-Dong Wang
;
Qianghua Xie
;
Joe Hooker
;
Shifeng Lu
;
JJ Lee
;
Phil Tobin
;
Wei Liu
;
Linda Cross
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
|
2002年
14.
Effectiveness of Plasma Nitrided Silicon Oxynitride as a Barrier Layer between High k Materials and Si Substrates
机译:
等离子体氮化氮氧化硅作为高k材料与Si衬底之间的阻挡层的功效
作者:
Yi-Sheng Lai
;
J. S. Chen
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
|
2002年
15.
In Situ Spectroscopic Approach to Atomic Layer Deposition
机译:
原位光谱方法进行原子层沉积
作者:
Martin M. Frank
;
Yves J. Chabal
;
Glen D. Wilk
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
|
2002年
16.
Kinetics of agglomeration of NiSi and NiSi_2 phase formation
机译:
NiSi和NiSi_2相形成的团聚动力学
作者:
C. Detavemier
;
A. Oezcan
;
C. Lavoie
;
Jean-Jordan Sweet
;
J.M.E. Harper
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
|
2002年
17.
Measuring The Work Functions Of PVD TaN, TaSiN And TiSiN Films With A Schottky Diode CV Technique For Metal Gate CMOS Applications
机译:
使用肖特基二极管CV技术测量金属栅极CMOS应用中PVD TaN,TaSiN和TiSiN薄膜的功函数
作者:
James Pan
;
Christy Woo
;
Minh-Van Ngo
;
Bryan Tracy
;
Ercan Adem
;
Stephen Robie
;
Qi Xiang
;
Ming-Ren Lin
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
|
2002年
18.
Ni Silicide Formation on Polycrystalline SiGe and SiGeC Layers
机译:
在多晶SiGe和SiGeC层上形成镍硅化物
作者:
Erik Haralson
;
Tobias Jarmar
;
Johan Seger
;
Henry H. Radamson
;
Shi-Li Zhang
;
Mikael Oestling
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
|
2002年
19.
Physcial characterization of ultrathin high k dielectrics
机译:
超薄高k电介质的物理特性
作者:
W.Vandervorst
;
B.Brijs
;
H.Bender
;
O.T.Conard
;
J.Petry
;
O.Richard
;
S.Van Elshocht
;
A.Delabie
;
M.Caymax
;
S.De Gendt
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
|
2002年
20.
SiGe pMOSFETs Fabricated on Limited Area SiGe Virtual Substrates
机译:
在有限区域SiGe虚拟衬底上制造的SiGe pMOSFET
作者:
Andrew Waite
;
Urs Straube
;
Neil Lloyd
;
Sally Croucher
;
Yue Teng Tang
;
Bifeng Rong
;
Alan Evans
;
Tim Grasby
;
Terry Whall
;
Evan Parker
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
|
2002年
21.
The Influence of Defects on Compatibility and Yield of the HfO_2-PolySilicon Gate Stack for CMOS Integration
机译:
缺陷对用于CMOS集成的HfO_2-多晶硅栅堆叠的兼容性和良率的影响
作者:
V.S. Kaushik
;
S.DeGendt
;
R.Carter
;
M.Claes
;
E.Rohr
;
L.Pantisano
;
J.Kluth
;
A.Kerber
;
V.Cosnier
;
E.Cartier
;
W.Tsai
;
E.Young
;
M.Green
;
J.Chen
;
S-A.Jang
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S.Lin
;
A.Delabie
;
S.V.Elshocht
;
Y.Manabe
;
O.Richard
;
C.Zhao
;
H.Bender
;
M.Caymax
;
M.Heyns
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
|
2002年
22.
Strained-Si-on-Insulator (SSOI) and SiGe-on-Insulator (SGOI): Fabrication Obstacles and Solutions
机译:
绝缘体上应变硅(SSOI)和绝缘体上硅锗(SGOI):制造障碍和解决方案
作者:
Gianni Taraschi
;
Arthur J. Pitera
;
Lisa M. McGill
;
Zhi-Yuan Cheng
;
Minjoo L. Lee
;
Thomas A. Langdo
;
Eugene A. Fitzgerald
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
|
2002年
23.
Study of interface formation of (Ba,Sr)TiO_3 thin films grown by rf sputter deposition on bare Si and thermal SiO_2/Si substrates
机译:
射频溅射沉积在裸Si和热SiO_2 / Si衬底上生长的(Ba,Sr)TiO_3薄膜的界面形成研究
作者:
N.A. Suvorova
;
A.H. Mueller
;
A. A. Suvorova
;
M. Saunders
;
E.A. Irene
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
|
2002年
24.
STRUCTURAL QUALITY AND ELECTRICAL BEHAVIOR OF EPITAXIAL HIGH-k Y_2O_3 / Si(001)
机译:
表观高k Y_2O_3 / Si(001)的结构质量和电性能
作者:
G. Vellianitis
;
G. Apostolopoulos
;
A. Dimoulas
;
K. Argyropoulos
;
B. Mereu
;
R. Scholz
;
M. Alexe
;
J.C. Hooker
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
|
2002年
25.
Trap Spectroscopy in Si_3N_4 Ultrathin Films Using Exoelectron Emission Method
机译:
Si_3N_4超薄膜薄膜的陷阱电子光谱研究
作者:
M. Naich
;
G. Rosenman
;
M. Molotskii
;
Ya. Roizin
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
|
2002年
26.
Growth and Physical Properties of MOCVD-Deposited Hafnium Oxide Films and Their Properties on Silicon
机译:
MOCVD沉积氧化f薄膜的生长,物理性能及其在硅上的性能
作者:
S. Van Elshocht
;
M. Caymax
;
S. De Gendt
;
T. Conard
;
J. Petry
;
M. Claes
;
T. Witters
;
C. Zhao
;
B. Brijs
;
O. Richard
;
H. Bender
;
W. Vandervorst
;
R. Carter
;
J. Kluth
;
L. Date
;
D. Pique
;
M.M. Heyns
会议名称:
《》
|
2002年
27.
Ultrashallow SIMS Study of Implanted Dopants in NiSi/Si(100)
机译:
NiSi / Si(100)中注入掺杂剂的超浅SIMS研究
作者:
Nikolai L. Yakovlev
;
Andrew S.W. Wong
;
Doreen M.Y. Lai
;
Dongzhi Chi
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
|
2002年
28.
Characterization of Ruthenium and Ruthenium Oxide Thin Films deposited by Chemical Vapor Deposition for CMOS Gate Electrode Applications
机译:
用于CMOS栅电极的化学气相沉积沉积的钌和氧化钌薄膜的特性
作者:
Filippos Papadatos
;
Spyridon Skordas
;
Steve Consiglio
;
Alain E. Kaloyeros
;
Eric Eisenbraun
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
|
2002年
29.
Dynamic growth mechanism and interface structure of crystalline zirconia on silicon
机译:
硅上晶体氧化锆的动态生长机理和界面结构
作者:
S J Wang
;
A C H Huan
;
C K Ong
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
|
2002年
30.
Formation of Ni mono-germanosilicide on heavily B-doped epitaxial SiGe for ultra-shallow source/drain contacts
机译:
在重掺杂B的外延SiGe上形成Ni-单锗硅化镍,用于超浅的源极/漏极接触
作者:
Christian Isheden
;
Johan Seger
;
Henry H. Radamson
;
Shi-Li Zhang
;
Mikael Oestling
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
|
2002年
31.
Wavelength-Invariant Resist Composed of Bimetallic Layers
机译:
双金属层组成的波长不变电阻
作者:
Y. Tu
;
M. Karimi
;
N. Morawej
;
W. N. Lennard
;
T. W. Simpson
;
J. Peng
;
K. L. Kavanagh
;
G. H. Chapman
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
|
2002年
32.
X-ray absorption studies of high performance Low-k dielectric materials
机译:
高性能低介电常数材料的X射线吸收研究
作者:
T. Yoda
;
H. Miyajima
;
M. Shimada
;
R. Nakata
;
H. Hashimoto
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
|
2002年
33.
Interface Quality and Electrical Performance of Low-Temperature Metal Organic Chemical Vapor Deposition Aluminum Oxide Thin Films for Advanced CMOS Gate Dielectric Applications
机译:
用于高级CMOS栅极介电应用的低温金属有机化学气相沉积氧化铝薄膜的界面质量和电性能
作者:
Spyridon Skordas
;
Filippos Papadatos
;
Steven Consiglio
;
Eric Eisenbraun
;
Alain Kaloyeros
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
|
2002年
34.
Effect of Al-content and Post Deposition Annealing on the Electrical Properties of Ultra-thin HfAl_xO_y Layers
机译:
Al含量和沉积后退火对HfAl_xO_y超薄层电学性能的影响
作者:
R.J. Carter
;
W. Tsai
;
E. Young
;
M. Caymax
;
J.W. Maes
;
P.J. Chen
;
A. Delabie
;
C. Zhao
;
S. DeGendt
;
M. Heyns
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
|
2002年
35.
Advanced PECVD-Based Anti-Reflective Coating for 90nm Generation Interconnects
机译:
适用于90nm互连的基于PECVD的先进抗反射涂层
作者:
Sang H. Ahn
;
Miguel Fung
;
Keebum Jung
;
Lei Zhu
;
Chris Bencher
;
BH Kim
;
Hichem
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
|
2002年
36.
Atomic Layer Deposition of High-k Gate Dielectrics Using MO Precursor and Cyclic Plasma Exposure
机译:
使用MO前驱物和循环等离子体暴露的高k栅极电介质的原子层沉积
作者:
Kazuhiko Endo
;
Toru Tatsumi
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
|
2002年
37.
A New Approach for Metal Oxide Film Growth: Vapor-Liquid Hybrid Deposition (VALID)
机译:
金属氧化物膜生长的新方法:汽液混合沉积(VALID)
作者:
Tetsuji Yasuda
;
Ronald Kuse
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
|
2002年
38.
A study of Al_2O_3:C films on Si(100) grown by low pressure MOCVD
机译:
低压MOCVD法在Si(100)上生长Al_2O_3:C薄膜的研究
作者:
M. P. Singh
;
C. S. Thakur
;
N. Bhat
;
S. A. Shivashankar
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
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2002年
39.
A Selective Etching Process for Chemically Inert High-k Metal Oxides
机译:
化学惰性高k金属氧化物的选择性蚀刻工艺
作者:
Katherine L. Saenger
;
Harald F. Okorn-Schmidt
;
Christopher P. DEmic
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
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2002年
40.
Oxygen vacancy defects in tantalum pentoxide: a density functional study
机译:
五氧化二钽中的氧空位缺陷:密度泛函研究
作者:
R. Ramprasad
;
Michael Sadd
;
Doug Roberts
;
Tom Remmel
;
Mark Raymond
;
Eric Luckowski
;
Sriram Kalpat
;
Carole Barron
;
Mel Miller
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
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2002年
41.
Effect of Nature of the Precursor on Crystallinity and Microstructure of MOCVD-Grown ZrO_2 Thin Films
机译:
前驱物的性质对MOCVD生长的ZrO_2薄膜的结晶度和微观结构的影响
作者:
M. S. Dharmaprakash
;
S. A. Shivashankar
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
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2002年
42.
Electrical and Structural Characterization of HfO_2 MIM Capacitors
机译:
HfO_2 MIM电容器的电气和结构表征
作者:
Fan Yang
;
David E. Kotecki
;
George Bernhardt
;
Michael Call
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
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2002年
43.
Improvement of capacitance-voltage (C-V) characteristics of YSZ/Si(001) and ZrO_2/Si thin film by Nb-doping
机译:
Nb掺杂改善YSZ / Si(001)和ZrO_2 / Si薄膜的电容-电压(C-V)特性
作者:
Naoki Wakiya
;
Tomohiko Moriya
;
Kazuo Shinozaki
;
Nobuyasu Mizutani
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
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2002年
44.
HRTEM INVESTIGATION OF EFFECT OF VARIOUS RARE EARTH OXIDE DOPANTS ON EPITAXIAL ZIRCONIA HIGH-K GATE DIELECTRICS
机译:
HRTEM研究各种稀土氧化物掺杂对表观氧化锆高K栅极介电常数的影响
作者:
Takanori Kiguchi
;
Naoki Wakiya
;
Kazuo Shinozaki
;
Nobuyasu Mizutani
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
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2002年
45.
Low Thermal Budget NiSi Films on SiGe Alloys
机译:
SiGe合金上的低热预算NiSi膜
作者:
S. K. Ray
;
T. N. Adam
;
G. S. Kar
;
C. P. Swann
;
J. Kolodzey
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
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2002年
46.
MOCVD of HfO_2 from Alkoxide and Alkylamide Precursors
机译:
烷氧化物和烷基酰胺前体的HfO_2的MOCVD
作者:
John L. Roberts
;
Paul A. Williams
;
Anthony C. Jones
;
Paul Marshall
;
Paul R. Chalker
;
Jamie F. Bickley
;
Hywel O. Davies
;
Lesley M. Smith
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
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2002年
47.
Oriented Growth of Thin Films of Samarium Oxide by MOCVD
机译:
MOCVD法定向生长氧化mar薄膜
作者:
K. Shalini
;
S.A. Shivashankar
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
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2002年
48.
Phase Formation in Ti (Ta)-Ni and Co-Ti Films Deposited on (001)Si in N_2 Atmospheres
机译:
N_2气氛中(001)Si上沉积的Ti(Ta)-Ni和Co-Ti膜的相形成
作者:
A.L.Vasiliev
;
M.Aindow
;
A.G.Vasiliev
;
I.A.Horin
;
A.A.Orlikovsky
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
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2002年
49.
Nickel, Platinum and Zirconium Germanosilicide Contacts to Heavily Phosphorous Doped Silicon-Germanium Alloys for Advanced CMOS Source/Drain Junctions
机译:
镍,铂和锆锗硅化物触点与用于高级CMOS源/漏结的重掺杂磷的硅锗合金接触
作者:
Hongxiang Mo
;
Jing Liu
;
Mehmet C. Oeztuerk
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
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2002年
50.
Physical and Electrical Characterization of Hafnium Silicate Thin Films
机译:
硅酸Ha薄膜的物理和电学表征
作者:
Patrick S. Lysaght
;
Brendan Foran
;
Gennadi Bersuker
;
Larry Larson
;
Robert W. Murto
;
Howard R. Huff
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
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2002年
51.
Physical and Electrical Properties of Al_2O_3, HfO_2, and their Alloy Films Prepared by Atomic Layer Deposition for 65nm CMOS Gate Dielectric
机译:
65nm CMOS栅介质的原子层沉积制备的Al_2O_3,HfO_2及其合金膜的物理和电学性质
作者:
Takaaki Kawahara
;
Kazuyoshi Torii
;
Seiichi Fukuda
;
Takeshi Maeda
;
Atsushi Horiuchi
;
Hiroyuki Ito
;
Akiyoshi Muto
;
Yoshitake Kato
;
Hiroshi Kitajima
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
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2002年
52.
Physical-Chemical Evolution upon Thermal Treatments of Al_2O_3, HfO_2 and Al/Hf Composite Materials Deposited by ALC YD~(TM)
机译:
ALC YD〜(TM)沉积Al_2O_3,HfO_2和Al / Hf复合材料热处理后的物理化学演变
作者:
B. Crivelli
;
M. Alessandri
;
S. Alberici
;
F. Cazzaniga
;
D. Dekadjevi
;
J. W. Maes
;
G. Ottaviani
;
G. Pavia
;
G. Queirolo
;
S. Santucci
;
F. Zanderigo
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
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2002年
53.
Thermal Stability of High k Layers
机译:
高k层的热稳定性
作者:
C. Zhao
;
V. Cosnier
;
P. J. Chen
;
O. Richard
;
G. Roebben
;
J. Maes
;
S. Van Elshocht
;
H. Bender
;
E
;
Young
;
O. Van Der Biest
;
M. Caymax
;
W. Vandervorst
;
S. De Gendt
;
M. Heyns
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
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2002年
54.
Screening the High-k Layer Quality by Means of Open Circuit Potential Analysis and Wet Chemical Etching
机译:
通过开路电势分析和湿法化学刻蚀筛选高k层质量
作者:
Marline Claes
;
Stefan De Gendt
;
Thomas Witters
;
Vidya Kaushik
;
Jerry Chen
;
Thierry Conard
;
Annelies Delabie
;
Sven Van Elshocht
;
Marc Heyns
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
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2002年
55.
The Effect of SiGe Barriers on the Thermal Stability of Highly B-Doped Si Surface Layers
机译:
SiGe阻挡层对高B掺杂Si表面层热稳定性的影响
作者:
Phillip E. Thompson
;
Joe Bennett
;
Robert Crosby
;
Mark E. Twigg
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
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2002年
56.
Thermal analyses of bulk amorphous oxides and silicates of zirconium and hafnium
机译:
锆和ha的大块无定形氧化物和硅酸盐的热分析
作者:
S. V. Ushakov
;
C. E. Brown
;
A. Navrotsky
;
A. Demkov
;
C. Wang
;
B.-Y. Nguyen
会议名称:
《Novel Materials and Processes for Advanced CMOS》
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2002年
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