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首页> 外文会议>Proceedings vol.2004-01; International Symposium on Advanced Short-Time Thermal Processing for Si-Based CMOS Devices II; 20040510-12; San Antonio,TX(US) >A NOVEL ATOMIC LAYER DEPOSITION PROCESS TO DEPOSIT HAFNIUM SILICATE THIN FILMS
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A NOVEL ATOMIC LAYER DEPOSITION PROCESS TO DEPOSIT HAFNIUM SILICATE THIN FILMS

机译：沉积硅酸HA薄膜的新型原子层沉积工艺

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New atomic layer deposition (ALD) processes for hafnium silicate films for gate dielectric applications have been developed by co-injection of Hf and Si precursors. Alternating pulses of Hf/Si mixture vapors and ozone allow process temperatures below 400℃ to grow Hf_xSi_((1-x))O_2 films. The Hf and Si precursors used in this study are volatile liquids that can be converted to vapor for delivery to the deposition chamber either by bubbling an inert carrier gas through the liquid or by using a liquid vaporization unit. The co-injection process enables the formation of homogeneous single-layer hafnium silicate films as deposited. In contrast, the commonly used nanolaminate technique (i.e., an alternating stack of HfO_2 and SiO_2 layers) requires a high temperature post-deposition anneal to interdiffuse the HfO_2 and SiO_2 to form a hafnium silicate film.
机译：通过共注入Hf和Si前驱体，已经开发出用于栅极介电应用的硅酸ha薄膜的新原子层沉积（ALD）工艺。 Hf / Si混合蒸气和臭氧的交替脉冲使工艺温度低于400℃才能生长Hf_xSi _（（1-x））O_2膜。本研究中使用的Hf和Si前体是挥发性液体，可以通过将惰性载气鼓泡通过液体或使用液体汽化单元将其转化为蒸气，以输送至沉积室。共注入工艺能够形成沉积的均匀单层硅酸ha薄膜。相反，常用的纳米层压技术（即，HfO_2和SiO_2层的交替堆叠）需要高温后沉积退火以使HfO_2和SiO_2相互扩散以形成硅酸ha膜。

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