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【24h】

Inverted cylindrical magnetron sputtering for HTSC thin film growth

机译：倒置圆柱磁控溅射用于HTSC薄膜生长

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Abstract: Inverted cylindrical magnetron sputtering (ICM) is areliable and reproducible method for the production ofHTSC thin films. This allows systematic studies of filmgrowth as a function of various deposition parametersincluding film thickness, substrate material, or bufferlayers. We report the growth conditions and growthquality of 1-2-3 films of different orientation withspecial emphasis on a-axis films which may be ofinterest for applications if 3-dimensional patterningis attempted. Substrate orientation and substratetemperature are the essential parameters controllingthe growth orientation. High quality buffer layers(FWHM mosaic spread $LS 0.2$DGR@, X$-min$/ $LS 5% inchanneling experiment) of Zr(Y)O$-2$/ could bedeposited on R- plane sapphire. Critical currentdensities near 3 $MUL 10$+6$/ A/cm$+2$/ at 77 K couldbe achieved for the 1-2-3 films deposited on thesebuffer layers. Finally we report results of in situBiSrCaCuO thin film deposition revealing first signs ofchanneling behavior (X$-min$/ $APEQ 60%) indicatingtoward epitaxial growth.!3
机译：摘要：倒置圆柱磁控溅射（ICM）是生产HTSC薄膜的可靠且可重复的方法。这允许根据各种沉积参数（包括膜厚度，基材材料或缓冲层）对膜的生长进行系统的研究。我们报告了不同取向的1-2-3膜的生长条件和生长质量，其中特别强调了a轴膜，如果尝试进行3维图案化，可能会对应用感兴趣。衬底取向和衬底温度是控制生长取向的基本参数。 Zr（Y）O $ -2 $ /的高质量缓冲层（FWHM马赛克铺展了$ LS 0.2 $ DGR @，X $ -min $ / $ LS 5％的通道内实验）可以沉积在R型蓝宝石上。对于沉积在这些缓冲层上的1-2-3膜，在77 K时可以获得接近3 $ MUL 10 $ + 6 $ / A / cm $ + 2 $ /的临界电流密度。最后，我们报告了原位BiSrCaCuO薄膜沉积的结果，揭示了沟道行为的第一个迹象（X $ -min $ / $ APEQ 60％），表明即将外延生长。3

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