【24h】

Efficient luminescence from GaAs nanocrystals in SiO_2 matrices

机译:SiO_2基体中GaAs纳米晶体的高效发光

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摘要

We have fabricated zincblende GaAs nanocrystals by means of Ga~+ and As~+ coimplantation into SiO_2 matrices. A broad photoluminescence band is observed in the visible spectral region. Under selective excitation at energies within the visible luminescence band, GaAs-related phonon structures are observed at low temperatures. The photoluminescence mechanism in GaAs/SiO_2 nanocomposites is discussed.
机译:我们通过Ga〜+和As〜+共注入SiO_2基体制备了闪锌矿型GaAs纳米晶体。在可见光谱区中观察到宽的光致发光带。在可见光波段内的能量选择性激发下,在低温下观察到GaAs相关声子结构。讨论了GaAs / SiO_2纳米复合材料的光致发光机理。

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