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首页> 外文会议>Symposium on Microcrystalline and Nanocrystalline Semiconductors-1998 held November 30-December 3, 1998, Boston, Massachusetts, U.S.A. >Nucleation processes in Si cvd on ultrathin SiO_2 layers
【24h】

Nucleation processes in Si cvd on ultrathin SiO_2 layers

机译：SiO_2超薄SiO2层中Si CVD的成核过程

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We investigate nucleation densities in UHV-CVD of Si on ultrathin SiO_2 layers (0.2-2 nm) which were prepared by three different oxidation methods: thermal, UV-ozone, and plasma oxidation. The experiments changing the Si_2H_6 pressure in UHV-CVD indicate that these oxide surfaces have preferred sites for nucleation. Among the three oxidation methods, the nucleation density, N_s, on the thermal oxide is the lowest, while the plasma oxide shows the highest N_s. These results suggest that strained bonds and ion-induced damages in the oxide layers assist nucleation. For UV-ozone and plasma oxides N_s is independent of orientation, reconstruction, and morphology of the initial Si surface.
机译：我们研究了在超薄SiO_2层（0.2-2 nm）上Si的UHV-CVD中的成核密度，该超薄SiO_2层是通过三种不同的氧化方法制备的：热，紫外臭氧和等离子体氧化。在UHV-CVD中改变Si_2H_6压力的实验表明，这些氧化物表面具有优选的成核位点。在这三种氧化方法中，热氧化物上的成核密度N_s最低，而等离子氧化物显示出最高的N_s。这些结果表明，在氧化物层中的应变键和离子诱导的损伤有助于成核。对于紫外线臭氧和等离子体氧化物，N_s与初始Si表面的取向，重建和形态无关。

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