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首页> 外文会议>Symposium on Optical Microstructural Characterization of Semiconductors held November 29-30, 1999, Boston, Massachusetts, U.S.A. >Study of raman scattering on InP/InGaAs/InP HEMTs
【24h】

Study of raman scattering on InP/InGaAs/InP HEMTs

机译：InP / InGaAs / InP HEMT上的拉曼散射研究

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Raman scattering studies have been recently used to relate the strain in the semiconductor layer structure w ith the line shape of allowed moes. It can yield important information about the nature of the solid on a scale of the order of a new lattice constants. It can also provide an evaluation on the carrier concentration in the channel layer of high electron mobility transistors (HEMTs). In this investigation, Raman scattering was used to study the effect of varying the In mole fraction (x) from 0.53 to 0.81 in the In_xGa_(1-x)As channel layer of InGaAs/InP heterostructures. The effect of varying the doping concentration in the donor layer from 6x10~(17)/cm~3 to 2.5x10~(18)/cm~3, and the effect of varying the In_(0.75)Ga_(0.25)As channel thickness from 140 A to 260 A are also reported.
机译：拉曼散射研究近来已被用于将半导体层结构中的应变与允许的微粒的线形相关联。它可以按新晶格常数的数量级生成有关固体性质的重要信息。它还可以提供对高电子迁移率晶体管（HEMT）的沟道层中载流子浓度的评估。在这项研究中，拉曼散射用于研究InGaAs / InP异质结构In_xGa_（1-x）As沟道层中In摩尔分数（x）从0.53变为0.81的影响。将施主层中掺杂浓度从6x10〜（17）/ cm〜3更改为2.5x10〜（18）/ cm〜3的效果以及改变In_（0.75）Ga_（0.25）As沟道厚度的效果也报告了从140 A至260 A的电流。

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