ZnO、ZnO∶Al及ZnO∶ (Al,N)纳米棒的制备工艺研究

何翔

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ZnO、ZnO∶Al及ZnO∶ (Al,N)纳米棒的制备工艺研究

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ZnO是Ⅱ-Ⅵ族氧化物半导体材料,属六方纤锌矿结构.ZnO晶胞中,四配位的O2-和Zn2+组成的交替平面沿着c轴堆积,使得ZnO具有良好的压电特性和热电特性.ZnO的禁带宽度在室温下为3.37eV,适合作为短波长的光电器件材料.激子束缚能为60meV,可以买现室温下的激子受激发光.通过掺杂的ZnO薄膜既具有良好的导电性,在可见光区域又有很高的透射率,可以在太阳能电池中用作窗口材料和透明电极.尤其ZnO的纳米结构在制备光电子器件方面有很好的应用价值,且制备工艺简单,原料丰富无毒.因此ZnO是一种具有重要研究价值的材料.制备薄膜的方法有多种,常用的有溶胶—凝胶法、激光脉冲沉积法、水热法、化学气相沉积法和磁控溅射法等.其中基于溶液的溶胶—凝胶法、水热法的薄膜制备方法具有操作简单、不需要贵重仪器、价格优廉的优点[1].

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来源
《化工管理》 |2017年第12期|102|共1页
作者
何翔;
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作者单位

江汉大学高分子材料与工程系,湖北武汉430056;

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正文语种 chi
中图分类
关键词
ZnO纳米棒; 水热法; 制备工艺;

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