镓铝砷半导体激光照射治疗牙本质过敏症58例

机译：低强度砷化镓铝砷酸盐激光治疗牙本质过敏症的临床评价

机译：光电流量子点的InAs，通过自组织获得，半导体激光异质结构的InAs /砷化铟镓/砷化镓，发射在1.3微米

机译：砷化镓激光，砷化铝铝镓和软膏对Wistar大鼠皮肤伤口愈合的影响

机译：从砷化镓半导体废料中回收镓和砷

机译：基于磷化铟镓砷和铟铝镓砷抗酰亚胺材料系统的中红外半导体激光器的设计和表征。

机译：镓铟磷化物的表征及铝镓磷化物体系量子阱激光二极管的研究进展

机译：低强度砷铝砷激光治疗牙本质过敏症的临床评价 - asGaal治疗镓铝砷低功率激光牙本质感觉异常的临床评价 - 砷酸镓

机译：III-V半导体材料制备技术的研究与开发及这些材料质量评价方法 - 砷化镓晶体 - 砷化镓坩埚拉制

机译：具有低阈值电流的横向结带激光器-砷化镓铝和砷化镓层在砷化镓衬底上外延生长

机译：包含铝，镓，铟，砷和锑的化合物的半导体组件具有台面结构，其侧面具有铝，镓，砷和锑的化合物的钝化层。

机译：用于近红外辐射的半导体光电阴极-包括透明的砷化镓铝镓层和电子发射砷化镓铟锡层