结构上胜过传统IGBT的CSTBT

机译：CSTBT结构优于传统IGBT

机译：CSTBT结构优于传统IGBT

机译：将IGBT的集电极电压施加到衬底上时，SOI薄膜上的横向IGBT的特性

机译：具有CSTBT™结构的ROIGBT中具有高抗雪崩断裂特性的二极管结构

机译：传统低压BiCMOS工艺中的单片IGBT栅极驱动器

机译：电子健康记录中的机器学习模型可以胜过传统的生存模型，后者可以预测冠状动脉疾病的患者死亡率

机译：基于LEGO工艺在部分SOI衬底上实现的新型横向DMOS和IGBT结构

机译：用于脉冲功率应用的mOsFET和IGBTs的评估

机译：在结构上的整合和固定塑料膜的方法的应用覆盖了受保护环境中传统的“隧道”珍珠养殖。受保护环境中传统的“隧道”种植，除了结构和结构上的增加塑料膜植入技术的应用

机译：在结构上的整合和固定塑料膜的方法的应用覆盖了传统的“隧道”，以在受保护的环境中进行种植。传统的“隧道”的珍珠在受保护的环境中进行种植，此外还增加了结构和结构。固定板方法的应用

机译：半导体装置具有IGBT，该IGBT的栅极由在p导电层上形成的n型半导体层上的栅极绝缘体形成，晶闸管远离IGBT