一种超低功耗基准电压源设计

闫苗苗; 焦立男; 柳有权

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一种超低功耗基准电压源设计

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设计了一种用于超低功耗线性稳压器电路的基准电压源,研究了NMOSFET阈值电压的温度特性。采用耗尽/增强型电压基准结构,显著降低了功耗。采用共源共栅型结构,提高了电源抑制比。设计了数模混合集成熔丝修调网络,优化了输出电压精度和温漂。电路基于0.35μm CMOS工艺实现。仿真结果表明,在2.2~5.5 V输入电压下,基准电压为814 mV,精度可达±1%。在-40℃~125℃范围内,温漂系数为2.52×10-5/℃。低频下,电源抑制比为-99.17 dB,静态电流低至27.4 nA。

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来源
《微电子学》 |2020年第2期|171-175|共6页
作者
闫苗苗; 焦立男; 柳有权;
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作者单位

长安大学信息工程学院;

西安710064;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应型;
关键词
基准电压源; 超低功耗; 线性稳压器; 电源抑制比;

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