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刘翔; 王章涛; 崔祥彦; 邓振波; 邱海军;
北京京东方光电科技有限公司;
北京交通大学光电子技术研究所发光与光信息技术教育部重点实验室;
薄膜晶体管; 灰化; 四次光刻; 光刻胶;
机译:超低k相容性二氧化碳原位光刻胶灰化过程的机理研究。二。与先前的碳氟化合物等离子体超低k蚀刻工艺的相互作用
机译:超低k相容性二氧化碳原位光刻胶灰化过程的机理研究。二。与先前的碳氟化合物等离子体超蚀刻工艺的相互作用
机译:超低k相容性二氧化碳原位光刻胶灰化过程的机理研究。一,工艺性能及其对ULK材料改性的影响
机译:高浓度臭氧对半导体工艺中光刻胶的软灰化
机译:光刻胶工艺的中尺度模拟和按形状索引的水凝胶生物传感器阵列平台。
机译:SU-8厚光刻胶紫外光刻工艺的综合模拟
机译:LS-SOG聚焦离子束光刻技术的研究及其在半导体器件制造工艺中的应用
机译:光刻胶的高通量接触孔分辨率度量:全工艺灵敏度研究
机译:在滤色器制造过程中使用的彩色光刻胶去除方法,包括在基板上依次执行等离子体灰化,湿法蚀刻和等离子体灰化工艺,以去除基板上的彩色光刻胶残留物
机译:具有灰化步骤的半导体器件的制造工艺,该灰化步骤用于由NxHy气体产生的等离子体中的光刻胶掩模
机译:在回放方法中,空光刻胶剥离工艺的控制方法为光刻胶剥离工艺的控制方法和光刻胶
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