一种低成本高精度CMOS基准电压源设计

肖海鹏; 马卓; 张民选; 张正旭

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利用电子迁移率和MOS管阈值电压对温度的变化呈反向趋势的原理,基于0.13μm标准CMOS工艺,设计实现了一款非带隙的基准源电路.Hspice仿真显示该基准能提供0.715V基准输出,并可以根据需要在0.4V～1V范围内进行调节.在-25℃～125℃范围内,温度系数为21.6ppm,在25℃时输出基准线性度为0.237%.

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来源
《微电子学与计算机》 |2010年第5期|121-124|共4页
作者
肖海鹏; 马卓; 张民选; 张正旭;
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作者单位

国防科技大学计算机学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类微电子学、集成电路（IC）;
关键词
CMOS基准电压源; 阈值电压; 电子迁移率;

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