多片式热壁MOCVD反应器的设计与数值模拟分析

彭鑫鑫; 左然; 于海群; 陈景升

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多片式热壁MOCVD反应器的设计与数值模拟分析

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本文提出一种多反应腔并联的水平热壁MOCVD反应器,反应器上下(左右)壁面都采用高温,减少了热泳力的排斥作用,提高了衬底上方的TMG浓度。由于取消了传统反应器的冷壁,减少了寄生产物的凝结,提高了反应前体的利用率和GaN的生长速率。可以多个反应腔并联生长,从而实现反应器的扩容。针对这种热壁式反应器,结合GaN的MOCVD生长进行了二维数值模拟,计算了不同流速、高度、长度和压力时反应器内流场、温场、浓度场分布以及生长速率,发现存在一个最佳的气体流速、反应器高度和长度条件,在此条件下,反应前体的产生与沉积达到平衡,从而有效抵消反应前体的沿程损耗,实现均匀的GaN生长。

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来源
《人工晶体学报》 |2011年第1期|207-212|共6页
作者
彭鑫鑫; 左然; 于海群; 陈景升;
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作者单位

江苏大学能源与动力工程学院;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类材料;
关键词
MOCVD; GaN生长; 热壁反应器; 数值模拟;

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