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基于TurboFET技术的MOSFET，开关损耗更低、开关速度更快

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这些器件采用TurboFET技术，利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低了45％，从而大幅降低切换损耗及提高切换速度，导通电阻与栅极电荷乘积FOM在4．5V和10V时分别低至76．6mΩ·nC和117．60mΩ·nC。

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来源
《今日电子》 |2009年第1期|111-112|共2页
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正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;逆变器;
关键词
开关损耗; MOSFET; 开关速度; 技术; 栅极电荷; 切换速度; 电荷平衡; 导通电阻;

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