一种高电源抑制比带隙基准源的设计

龚美霞; 丁宁

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带隙基准源是LDO中的重要模块,其性能的好坏直接影响到LDO整个系统的性能,为此本文针对以上问题进行相关研究,设计一种具有较高的PSRR和较低的稳定输出电压的带隙基准电压源.文中结合工程实际的要求设计了一款具有高的电源抑制比(PSRR)、低的输出基准电压的带隙基准电压源.本设计采用SMIC公司的0.18μm工艺进行仿真,Hspice的仿真结果表明该基准源在电源抑制比(PSRR)、温度特性等方面有良好的性能.

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来源
《电子测试》 |2010年第9期|77-80|共4页
作者
龚美霞; 丁宁;
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作者单位

南京信息职业技术学院,10046;

南京信息职业技术学院,10046;

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正文语种 chi
中图分类信息处理（信息加工）;
关键词
CMOS; 带隙基准; PSRR;

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