硅晶片化学机械抛光液的研究进展

严嘉胜; 何锦梅; 吴少彬; 陈孙翔; 董博裕; 王宪章

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硅晶片广泛应用于集成电路领域,对其表面质量和平整度提出了极高的要求。化学机械抛光(CMP)可对硅晶片表面实现局部和整体平坦化精细加工,抛光液是影响抛光质量和抛光效率的关键因素之一。本文归纳了抛光液中磨料、pH值调节剂、氧化剂、分散剂和表面活性剂等组成部分的作用及其研究进展,目的在于为硅片CMP抛光液的设计、制备和合理选用提供参考依据。

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来源
《广东化工》 |2023年第14期|68-70|共3页
作者
严嘉胜; 何锦梅; 吴少彬; 陈孙翔; 董博裕; 王宪章;
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作者单位

广东海洋大学机械工程学院;

德旭新材料(广州)股份有限公司;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类化学工业;
关键词
化学机械抛光; 抛光液; 硅晶片; 表面粗糙度; 材料去除率;

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