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功率对磁控溅射法制备非晶硅薄膜的影响

         

摘要

利用直流磁控溅射设备,以纯度为99.99%P型单晶硅为靶材,以石英玻璃为衬底,在50W~ 300W的范围内改变溅射功率,将制备后的薄膜进行厚度测量,进而得出沉积速率,绘制出来溅射功率与沉积速率之间的关系.结果表明:在50W~ 300W范围内,沉积速率随着溅射功率的增加过程大致呈线性关系.

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