区熔硅单晶的红外吸收差谱测量

吴康

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区熔硅单晶的红外吸收差谱测量

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通过红外光谱测量，研究了原生区熔硅单晶、中子辐照区熔硅单昌以及热处理后的中子辐照区熔硅单晶的中心部位与边缘部位之间的红外吸收差谱。根据这些红外吸收谱，讨论了区熔硅单晶中替位式杂质碳、间隙式杂质氧的径向分布以及中子辐照、热处理温度对它们的影响。用四探针法测量了中子辐照区熔硅单晶的电阻率随退火温度的变化关系。

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来源
《鲁东大学学报（自然科学版）》 |1998年第1期|47-50|共4页
作者
吴康;
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作者单位

山东省体育运动技术学院教育部;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.12;
关键词
硅单晶; 红外光谱; 半导体; 测量; 红外吸收光谱;

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