基于微波S参数测试的MOSFET小信号参数半分析法提取

周影; 于盼盼; 高建军

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基于90 nm金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)器件的S参数测试的结果,对测试结构进行去嵌,采用直接提取法提取测试结构的寄生元件参数.在去除寄生元件参数的影响后,以仿真模型的S参数和测量所得的S参数之间的差值作为优化标准,应用半分析法提取小信号模型的各个元件参数.结果表明:在1～40 GHz的频率范围内,模拟的S参数和测试的S参数在史密斯圆图中吻合良好,两者之间的误差均处于较低水平,验证了模型的准确性和参数提取方法的正确性.

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来源
《南通大学学报（自然科学版）》 |2016年第3期|6-11|共6页
作者
周影; 于盼盼; 高建军;
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作者单位

华东师范大学信息科学技术学院,上海200241;

华东师范大学信息科学技术学院,上海200241;

华东师范大学信息科学技术学院,上海200241;

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正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;
关键词
微波; S参数测试; 金属氧化物半导体场效应晶体管; 小信号建模; 半分析法;

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