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NTD区熔硅单晶品质改善方法研究

         

摘要

本文从原始单晶生长、中子辐照、热处理等过程分析了影响NTD(中子辐照嬗变掺杂)区熔硅单晶品质的因素,并结合实际情况得出了杂质、中照反应堆类型、热处理工艺等对单晶电阻率和少子寿命产生影响的结论,提出了改善产品品质的一些方法.

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