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Al薄膜对(002)ZnO/Al/Si结构基片中ZnO薄膜特性影响的实验研究

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采用射频磁控溅射法沉积制备了(002)ZnO/Al/Si复合结构。研究了Al薄膜对(002)ZnO/Al/Si复合结构的声表面波器件(SAWD)基片性能影响以及当ZnO薄膜厚度一定时的Al膜最佳厚度。采用X射线衍射(XRD)对Al和ZnO薄膜进行了结构表征,采用扫描电镜(SEM)对ZnO薄膜进行表面形貌表征,并从薄膜生长机理角度进行了分析。结果表明,加Al薄膜有利于ZnO薄膜按(002)择优取向生长,并且ZnO薄膜的结晶性能提高;与(002)ZnO/Si结构基片相比,当Al薄膜厚为100nm时,(002)ZnO/Al/Si结构中ZnO薄膜的机电耦合系数提高了65%。

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来源
《光电子．激光》 |2013年第5期|935-939|共5页
作者
张倩; 陈希明; 杨保和; 阴聚乾; 吴晓国;
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作者单位

天津理工大学电子信息工程学院天津市薄膜电子与通信器件重点实验室;

天津300384;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类激光器;
关键词
声表面波器件(SAWD); (002)择优取向; Al薄膜;

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