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李世彬; 吴志明; 朱魁鹏; 蒋亚东; 李伟; 廖乃镘;
电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室;
非晶硅; 工作压强; 沉积速率; 光学禁带宽度;
机译:氧/氩反应气体比例对HiPIMS工艺涂覆非晶IGZO薄膜光学和电学特性的影响
机译:Forouhi和Bloomer模型对非晶硅薄膜光学特性的修正
机译:氧,乙硼烷气体比对P型非晶硅薄膜的影响及其在非晶硅太阳能电池中的应用
机译:纳米结构对氢化非晶硅薄膜光学特性的影响
机译:掺杂和未掺杂的氢化非晶硅薄膜中纳米晶硅夹杂物的影响。
机译:量身定制热稳定的非晶SiOC结构分离大分子:煅烧温度的影响的SiOC结构和气体渗透性能
机译:缺陷态空间位置对非晶硅和多晶硅薄膜晶体管开关特性的影响:amps 2-D的数值模拟
机译:Ni厚度对Ni诱导的非晶硅横向结晶对多晶硅TFT截止态电流的影响
机译:高迁移率非晶硅显示非色散传输特性
机译:增强非掺杂和/或N型氢非晶硅薄膜电子特性的方法
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