600V GaN HEMT开关特性和封装研究

李祥生; 黄立巍; 郭莎莎; 许峰

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600V GaN HEMT开关特性和封装研究

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分析讨论了共源共栅级联结构GaN晶体管的工作机理,研究了影响开关速度的主要因素,提出了驱动电路的设计方法.分析了级联GaN HEMT反向恢复电荷的产生和影响因素,并与SiC二极管进行比较.通过器件开关特性测试平台,分别将级联GaN HEMT与CoolMOS进行开关特性对比分析,与SiC二极管进行反向恢复特性对比分析,定量比较了GaN HEMT与CoolMOS和SiC二极管在无桥PFC中的性能.分析验证了器件封装技术对GaN开关性能的影响,指出了高速器件封装技术的发展方向.

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来源
《电力电子技术》 |2012年第12期|77-80|共4页
作者
李祥生; 黄立巍; 郭莎莎; 许峰;
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作者单位

艾默生网络能源有限公司,广东深圳518057;

艾默生网络能源有限公司,广东深圳518057;

艾默生网络能源有限公司,广东深圳518057;

艾默生网络能源有限公司,广东深圳518057;

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正文语种 chi
中图分类半导体三极管（晶体管）;
关键词
晶体管; 开关特性; 反向恢复; 封装;

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