新型FET开关

机译：使用STripFET III技术的MOSFET的导通电阻和开关损耗降低技术-引入具有低导通电阻和低Qg特性的平面MOSFET，其损耗超过沟槽栅MOSFET的损耗

机译：Stripfet IIII技术MOSFET导通电阻开关损耗减少技术 - 引入低电阻，低QG特性平面MOSFET，具有沟槽门MOSFET的损失

机译：具有杂连接二极管的新型4H-SiC超结Umosfet，用于增强反向恢复特性和低开关损耗

机译：新型GaN / SiC混合FET（HyFET）的性能增强，可用于高压开关应用

机译：具有改进的直流和开关特性的新型低压功率MOSFET。

机译：体硅衬底上的新型14nm扇贝形FinFET（S-FinFET）

机译：非交错感应开关下超结功率mOsFET的新型三维电热鲁棒性优化方法

机译：siC离散功率器件 - 平面6H-siCaCCUFET的分析和优化;平面横向沟道siC垂直高功率JFET;平面横向通道mEsFET-a新型siC垂直功率器件;通过热壁化学气相沉积Chara生长

机译：电子开关具有电池开关和备用开关，它们与电池开关并联布置为半导体开关形式，具有两个串联的MOSFET或PROFET

机译：用于测试模块的FET继电器具有光耦合器，该光耦合器包括用于驱动输出驱动器的多个级，其中输出驱动器将FET开关级的FET开关晶体管的栅极电容放电到光耦合器

机译：设计用于处理HV的FET开关电路-具有主开关FET和由串联连接的其他FET组成的分压器