首页> 中文期刊> 《电讯技术》 >一种高性能CMOS带隙基准电压源的设计

一种高性能CMOS带隙基准电压源的设计

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

本文提出了一种采用0.25 μm CMOS工艺的高性能的带隙基准参考源.该电路结构简单,性能较好.用模拟软件进行仿真,在tt模型下,其温度系数为9.6ppm/℃,电源抑制比(PSRR)为-56 dB,电压拉偏特性为384 ppm/V.而在其它模型下,也有较低的温度系数和较高的电源抑制比.

著录项

来源
《电讯技术》 |2005年第5期|131-134|共4页
作者
王丽芳; 吴健学;
展开▼
作者单位

武汉邮电科学研究院,湖北,武汉,430074;

武汉邮电科学研究院,湖北,武汉,430074;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类设计、分析、计算;
关键词
基准电压; 带隙基准; 温度系数; 温度补偿; 电源抑制比;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 一种高性能CMOS带隙基准电压源的设计 [J] . 杨毅 ,梁蓓 . 贵州大学学报（自然科学版） . 2014,第002期
2. 一种高性能的低压CMOS带隙基准电压源的设计 [J] . 安胜彪 ,侯洁 ,魏月婷 . 河北科技大学学报 . 2012,第004期
3. 一种高性能BiCMOS带隙基准电压源设计 [J] . 汪西川 ,杭贵周 . 仪表技术 . 2009,第3期
4. 一种高性能的BiCMOS带隙基准电压源 [J] . 石广源 ,金璐 ,李文昌 . 辽宁大学学报（自然科学版） . 2009,第001期
5. 高性能分段线性补偿CMOS带隙基准电压源设计 [J] . 邓庭 ,曾以成 ,夏俊雅 . 电子元件与材料 . 2018,第003期
6. 一种高性能CMOS带隙基准电压源设计 [C] . 贾有平 ,杨兵 . 第十四届全国青年通信学术会议 . 2009
7. 高性能BiCMOS带隙基准电压源设计 [A] . 周洋 . 2010

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号