• 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 美国卫生研究院文献>Nanoscale Research Letters >Dilute nitride and GaAs n-i-p-i solar cells
【2h】

Dilute nitride and GaAs n-i-p-i solar cells

机译：稀氮化物和GaAs n-i-p-i太阳能电池

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

We demonstrate for the first time the operation of GaInNAs and GaAs n-i-p-i doping solar cells with ion-implanted selective contacts. Multiple layers of alternate doping are grown by molecular beam epitaxy to form the n-i-p-i structure. After growth, vertical selective contacts are fabricated by Mg and Si ion implantation, followed by rapid thermal annealing treatment and fabrication into circular mesa cells. As means of characterisation, spectral response and illuminated current–voltage (I-V) were measured on the samples. The spectral response suggests that all horizontal layers are able to contribute to the photocurrent. Performance of the devices is discussed with interest in the n-i-p-i structure as a possible design for the GaInP/GaAs/GaInNAs tandem solar cell.
机译：我们首次展示了具有离子注入选择性接触的GaInNAs和GaAs n-i-p-i掺杂太阳能电池的运行。通过分子束外延生长多层交替掺杂，以形成n-i-p-i结构。生长后，通过镁和硅离子注入制造垂直选择性接触，然后进行快速热退火处理并制造成圆形台面电池。作为表征的手段，在样品上测量了光谱响应和照明电流-电压（I-V）。光谱响应表明所有水平层均能够贡献光电流。讨论了器件的性能，并以n-i-p-i结构作为GaInP / GaAs / GaInNAs串联太阳能电池的可能设计。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号