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首页> 外文期刊>IEEE Electron Device Letters >Improvement of Light Trapping in a-Si:H-Based Solar Cells by Inserting a ZnO/LiF Double Interlayer
【24h】

Improvement of Light Trapping in a-Si:H-Based Solar Cells by Inserting a ZnO/LiF Double Interlayer

机译：通过插入ZnO / LiF双中间层来改善基于a-Si：H的太阳能电池中的光陷阱

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We develop a zinc oxide (ZnO)/lithium fluoride (LiF) double interlayer for effective light trapping in p-i-n-type hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H)-based solar cells with a 200-nm-thick intrinsic a-Si:H absorber. The spectral response of the fabricated solar cell with an n-type a-Si:H (n-a-Si:H)/ZnO/LiF/aluminum back structure was significantly enhanced in the wide wavelength range of 500–750 nm because of the refractive index grading, reduced plasmonic absorption, and efficient tunneling of photogenerated electrons through the ultrathin LiF interlayer, resulting in the significant enhancement of the short-circuit current by 21.6%. Consequently, the conversion efficiency is improved by 13.3%.
机译：我们开发了一种氧化锌（ZnO）/氟化锂（LiF）双层夹层，可有效捕获200纳米厚本征a-Si的pin型氢化非晶硅（a-Si：H）基太阳能电池中的光： H吸收器。具有n型a-Si：H（na-Si：H）/ ZnO / LiF /铝背结构的人造太阳能电池在500-750 nm的宽波长范围内的光谱响应由于折射而显着增强指数分级，减少的等离子体吸收以及通过超薄LiF中间层的光生电子的有效隧穿，导致短路电流显着提高21.6％。因此，转换效率提高了13.3％。

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