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首页> 外文期刊>Japanese journal of applied physics >Effects of Etch Rate on Plasma-Induced Damage to Porous Low-k Films
【24h】

Effects of Etch Rate on Plasma-Induced Damage to Porous Low-k Films

机译：刻蚀速率对等离子体诱导的多孔低k膜损伤的影响

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We investigated the effects of etch rate on low-k damage induced by dry etching under CF_4, CF_4/O_2, and C_4F_6/O_2/Ar chemistry conditions. The amount of damage increases with decreasing etch rate in all chemistries. This is because the amount of fluorine or oxygen radical diffusion increases with plasma exposure time. These radicals extract CH_3 groups from the low-k film or oxidize the film. To reduce damage to the lowest level possible, it is necessary to suppress the effect of the damage diffusion using etching conditions where the etching speed is higher than the diffusion speed of the damage.
机译：我们研究了腐蚀速率对在CF_4，CF_4 / O_2和C_4F_6 / O_2 / Ar化学条件下干法腐蚀引起的低k损伤的影响。在所有化学方法中，腐蚀量随腐蚀速率的降低而增加。这是因为氟或氧自由基扩散的量随等离子体暴露时间而增加。这些自由基从低k膜中提取CH_3基团或氧化该膜。为了将损伤降低到最低水平，有必要使用蚀刻速度高于损伤的扩散速度的蚀刻条件来抑制损伤扩散的影响。

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