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Direct Wafer Bonding of GaInAsP/InP Membrane Structure on Silicon-on-Insulator Substrate

机译：绝缘体上硅衬底上GaInAsP / InP膜结构的直接晶圆键合

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Wafer bonding technology was investigated to integrate active photonic devices on a silicon-on-insulator (SOI) substrate for highly compact photonic integrated circuits. A single-quantum-well (SQW) GaInAsP/InP membrane structure bonded onto an SOI substrate was successfully obtained by a direct bonding with thermal annealing at 300-450℃ in H_2 atmosphere. The photoluminescence intensity of the SQW membrane structure did not degrade after this direct bonding and its spectral shape did not change. This wafer bonding technique can be applied to the realization of direct optical coupling using SOI passive waveguides from a membrane's active region.
机译：进行了晶圆键合技术的研究，以将有源光子器件集成到绝缘体上硅（SOI）衬底上，以实现高度紧凑的光子集成电路。通过在H_2气氛中于300-450℃下进行热退火直接键合，成功地获得了键合到SOI衬底上的单量子阱（SQW）GaInAsP / InP膜结构。在这种直接键合之后，SQW膜结构的光致发光强度没有降低，并且其光谱形状也没有改变。这种晶圆键合技术可以应用于使用来自膜的有源区的SOI无源波导实现直接光耦合。

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