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首页> 外文期刊>Journal of Applied Physics >Electron transport within bulk cubic boron nitride: A Monte Carlo simulation analysis
【24h】

Electron transport within bulk cubic boron nitride: A Monte Carlo simulation analysis

机译：散装立方体氮化物内的电子传输：蒙特卡罗模拟分析

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摘要

Through the use of a semi-classical three-valley Monte Carlo electron transport simulation analysis, we analyze the nature of the steady-state and transient electron transport processes that occur within the zinc-blende phase of bulk boron nitride. For the purposes of our steady-state analysis, the dependence of the electron drift velocity on the applied electric field strength is examined. For our transient electron transport analysis, however, we study how an ensemble of electrons, initially in thermal equilibrium, i.e., zero-field, responds to the sudden application of a constant and uniform applied electric field. The results obtained, corresponding to the specific case of bulk zinc-blende boron nitride, are then contrasted with those corresponding to a number of other compound semiconductors of interest within the Ⅲ-Ⅴ nitride semiconductor genome.
机译：通过使用半古典三谷蒙特卡罗电子传输仿真分析，我们分析了在散氮氮化物锌 - 融合阶段内发生的稳态和瞬态电子传输过程的性质。出于我们稳态分析的目的，检查了电子漂移速度对所施加的电场强度的依赖性。然而，对于我们的瞬态电子传输分析，我们研究了最初在热平衡，即零场中的电子的集合如何响应恒定和均匀应用电场的突然应用。对应于本体锌 - 混合硼氮化硼的特定情况的结果与对应于Ⅲ-β氮化物半导体基因组内的许多其他化合物半导体的那些对比。

著录项

  • 来源
    《Journal of Applied Physics》 |2020年第18期|185704.1-185704.6|共6页
  • 作者

    Poppy Siddiqua; Michael S. Shur; Stephen K. OLeary;

  • 作者单位

    School of Engineering The University of British Columbia 3333 University Way Kelowna British Columbia V1V 1V7 Canada;

    Department of Electrical Computer and Systems Engineering Rensselaer Polytechnic Institute Troy New York 12180-3590 USA;

    School of Engineering The University of British Columbia 3333 University Way Kelowna British Columbia V1V 1V7 Canada;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
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