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首页> 外文期刊>Journal of Applied Physics >Enhanced room-temperature mid-ultraviolet emission from AlGaN/AlN Stranski-Krastanov quantum dots
【24h】

Enhanced room-temperature mid-ultraviolet emission from AlGaN/AlN Stranski-Krastanov quantum dots

机译：AlGaN / AlN Stranski-Krastanov量子点增强的室温中紫外发射

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We report on the identification of an optimum deposited amount of AlGaN in AlGaN/AlN quantum dot (QD) superlattices grown by molecular-beam epitaxy, which grants maximum luminescence at room temperature by finding a compromise between the designs providing maximum internal quantum efficiency (60%) and maximum QD density (9.0 × 1011 cm−2). The average Al composition in the QDs is estimated at 10.6% ± 0.8% by combining x-ray diffraction measurements with three-dimensional calculations of the strain distribution. The effect of the variation of the QD height/base-diameter ratio on the interband and intraband optical properties was explored by fitting the experimental data with three-dimensional calculations of the band diagram and quantum confined states.
机译：我们报告了在分子束外延生长的AlGaN / AlN量子点（QD）超晶格中确定最佳AlGaN沉积量的信息，该方法通过在提供最大内部量子效率的设计之间找到折衷方案，从而在室温下获得最大发光度（60 ％）和最大QD密度（9.0×10 11 cm -2 ）。通过结合X射线衍射测量结果和应变分布的三维计算，QD中的平均Al成分估计为10.6％±0.8％。通过将实验数据与能带图和量子约束态的三维计算进行拟合，探索了QD高度/基径比的变化对带间和带内光学特性的影响。

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