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Studies on structural and optical properties of ZnSe and ZnSSe single crystals grown by CVT method

机译：CVT法生长ZnSe和ZnSSe单晶的结构和光学性质的研究

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The ZnSe and ZnSSe single crystals have been grown by chemical vapour transport (CVT) with iodine as a transporting agent. The source and growth temperatures of the reactor are maintained at 850℃ and 900℃ respectively using the two zone horizontal resistive heating furnace. The grown crystals are characterised by structural, surface morphological and optical properties. The XRD pattern shows that the peaks due to reflection from (111), (220) and (311) planes belong to the cubic zinc-blend structure. The composition of grown ZnSe crystal has been determined by EDXRF analysis as Zn (52.5%) and Se (47.5%). The XPS study of grown ZnSe single crystal has been studied. The HRSEM images reveal the step, spiral and triangular patterns. The optical absorption study reveals the absorption cut off wavelength as 483 nm (2.57 eV) for ZnSe and 441 nm (2.81 eV) for ZnSSe crystals. The photoluminescence studies reveal the band edge emission and defect level emissions of ZnSe and ZnSSe single crystals.
机译：ZnSe和ZnSSe单晶已经通过化学气相传输（CVT）以碘为传输剂进行了生长。使用两区卧式电阻加热炉将反应器的原料和生长温度分别保持在850℃和900℃。生长的晶体的特征在于结构，表面形态和光学性质。 XRD图谱表明，由于（111），（220）和（311）面的反射而产生的峰属于立方锌混合结构。通过EDXRF分析已确定生长的ZnSe晶体的组成为Zn（52.5％）和Se（47.5％）。已经研究了生长的ZnSe单晶的XPS研究。 HRSEM图像显示出阶梯，螺旋和三角形图案。光吸收研究表明，ZnSe的吸收截止波长为483 nm（2.57 eV），ZnSSe晶体的吸收截止波长为441 nm（2.81 eV）。光致发光研究揭示了ZnSe和ZnSSe单晶的能带边发射和缺陷能级发射。

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