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Growth of GaAs nanoscale whiskers by magnetron sputtering deposition

机译：磁控溅射沉积生长GaAs纳米晶须

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The possibility to grow long (up to several microns) GaAs nanoscale whiskers on the GaAs(111)B surface activated by Au by magnetron sputtering deposition is demonstrated. It is shown that the length/diameter dependence of GaAs nanowhiskers is decreasing, while the dependence of whisker length at given diameter on the effective thickness of deposited GaAs is linear. The length of thinnest (40 nm in diameter) whiskers is 16 times higher than the effective thickness of deposited GaAs. A semi-quantitative model of whisker formation is developed that explains the experimentally observed facts. In particular, it allows LIS to estimate the adatom diffusion flux from the surface to the whisker tips, the surface growth rate and the desorption rate of Ga atoms from the drops. It is shown that the nanoscale whisker formation is mainly controlled by the adatom diffusion. (c) 2005 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译：证明了通过磁控溅射沉积在被Au活化的GaAs（111）B表面上生长长（高达几微米）的GaAs纳米晶须的可能性。结果表明，GaAs纳米晶须的长度/直径依赖性正在降低，而给定直径的晶须长度对沉积的GaAs有效厚度的依赖性是线性的。最薄（直径40 nm）的晶须的长度是所沉积GaAs有效厚度的16倍。建立了晶须形成的半定量模型，该模型解释了实验观察到的事实。特别是，它允许LIS估计从表面到晶须尖端的原子扩散通量，表面生长速率和液滴中Ga原子的解吸速率。结果表明，纳米晶须的形成主要受原子扩散的控制。 （c）2005 Elsevier B.V.保留所有权利。

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