'Techniques Providing Metal Gate Devices with Multiple Barrier Layers' in Patent Application Approval Process

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'Techniques Providing Metal Gate Devices with Multiple Barrier Layers' in Patent Application Approval Process

机译：专利申请批准过程中的“为金属栅器件提供多个阻挡层的技术”

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2013 MAR 27 (VerticalNews) -- By a News Reporter-Staff News Editor at Journal of Engineering -- Anpatent application by the inventors Yu, Xiong-Fei (Hsinchu, TW); Chou, Chun-Yuan (Taipei, TW); Lee,nDa-Yuan (Jhubei City, TW); Hsu, Kuan-Yuan (Fongyuan City, TW); Xu, Jeff J. (Jhubei City, TW), filed onnSeptember 1, 2011, was cleared for further review on March 14, 2013, according to news reportingnoriginating from Washington, D.C., by VerticalNews correspondents.

机译：2013年3月27日（垂直新闻）-由《工程杂志》的新闻记者-工作人员新闻编辑-发明人于雄飞（新竹，台湾）的专利申请;周春元（TW，台北）; Lee，nDa-Yuan（TW，湖北市）；许宽源（TW丰原市）;根据垂直新闻通讯社从华盛顿特区始发的新闻报道，2011年9月1日提交的Xu，Jeff J.（新泽西州湖北市）已获准在2013年3月14日作进一步审查。

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来源
《Journal of Engineering》 |2013年第13期|1-3|共3页
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原文格式 PDF
正文语种 eng
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关键词
Asia; Technology; Electronics; Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd..;

机译：亚洲;技术;电子产品;台积电股份有限公司;

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