Patent Issued for Vertical Diodes for Non-Volatile Memory Device

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Patent Issued for Vertical Diodes for Non-Volatile Memory Device

机译：非易失性存储设备用垂直二极管的专利发布

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2013 MAR 27 (VerticalNews) -- By a News Reporter-Staff News Editor at Journal of Engineering -- According to news reporting originating from Alexandria, Virginia, by VerticalNews journalists, a patent by the inventor Herner, Scott Brad (San Jose, CA), filed on May 31, 2011, was cleared and issued on March 12, 2013.

机译：2013年3月27日（VerticalNews）-由Engineering Journal的新闻记者-Staff新闻编辑撰写-根据VerticalNews记者源自弗吉尼亚州亚历山大港的新闻报道，该发明人是Herner，Scott Brad（加利福尼亚州圣何塞）的专利），于2011年5月31日提交，已于2013年3月12日清除并发布。

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来源
《Journal of Engineering》 |2013年第13期|1-3|共3页
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原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类
关键词
Silicon; Chemicals; Chemistry; Germanium; Zinc Oxide; Electronics; Heavy Metals; Crossbar Inc.; Semiconductor; Zinc Compounds.;

机译：硅;化学品;化学;锗;氧化锌电子产品;重金属;Crossbar Inc .;半导体;锌化合物。;

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