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直径150ミリのSiCウエハーグレード別に3製品

机译:三种产品,直径为150 mm的SiC晶片等级

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摘要

東レ•ダウコーニングはこのたび、直径150ミメーリトル(6インチ)の炭化ケイ素(SiC)ウエハーを発売した。グレード選択が可能な三つの製品をそろえた。SiCパワー半導体は電力変換時の損失が少なく、エネルギーを有効活用する技術としてここ数年、研究開発が盛んに行われている。また、基板サイズが大きくなればウエハー1枚当たりの半導体チップが取れる数が増え、生産性を向上することが期待される。
机译:东丽道康宁公司最近推出了直径为150米(6英寸)的碳化硅(SiC)晶圆。我们提供三种带有等级选择的产品。 SiC功率半导体在功率转换期间几乎没有损耗,并且作为有效利用能量的技术,在过去的几年中已经积极进行了研究和开发。此外,如果增加基板尺寸,则可以从一个晶片获得的半导体芯片的数量增加,并且期望提高生产率。

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    《电波新闻》 |2014年第22期|3-3|共1页
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