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【24h】

1 eV GaAsSbN-based solar cells for efficient multi-junction design: Enhanced solar cell performance upon annealing

机译：基于EV Gaassbn的太阳能电池用于高效的多结设计：在退火时增强太阳能电池性能

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摘要

In this work, we demonstrate the beneficial effect of post-growth rapid thermal annealing (RTA) on the performance of -1 eV GaAsSbN-based solar cells. Different configurations of the dilute nitride material are studied: a bulk quaternary GaAsSbN layer and type-II GaAsSb/GaAsN superlattices (SL) with different period thickness. The RTA treatment leads in both types of structures to an enhanced external quantum efficiency (EQE) and reduced values of the dark saturation current and series resistance. The origin of these improvements is attributed to reduced densities of N and Sb-rich clusters and point defects. Remarkably, all solar cell parameters are substantially improved, this being particularly significant for the short circuit current density (JSC) and power conversion efficiency (PCE), the latter with a relative enhancement as high as 500%. The large increment of JSC is an important step towards current-matching in multi-junction solar cells containing GaAsSbN structures.
机译：在这项工作中，我们证明了在-1V基于Gaassbn的太阳能电池的性能上的生长后快速热退火（RTA）的有益效果。 研究了稀氮化物材料的不同配置：具有不同周期厚度的批量季纳米斯（Bulk Quationary Gaassbn层和II型Gaassb / GaAsn超晶格（SL）。 RTA处理在两种类型的结构中引入增强的外部量子效率（EQE）和暗饱和电流和串联电阻的降低。 这些改进的起源归因于富含N和SB的簇和点缺陷的密度。 值得注意的是，所有太阳能电池参数都大大提高，这对于短路电流密度（JSC）和功率转换效率（PCE）特别重要，后者具有相对增强的高达500％。 JSC的大量增量是朝向含有Gaassbn结构的多结太阳能电池中的电流匹配的重要步骤。

著录项

  • 来源
    《Solar Energy》 |2021年第6期|307-313|共7页
  • 作者

    Gonzalo A.; Stanojevic L.; Fuertes Marron D.; Guzman A.; Hierro A.; Ulloa J. M.;

  • 作者单位

    Univ Politecn Madrid Inst Optoelect Syst & Microtechnol ISOM Avda Complutense 30 Madrid 28040 Spain|Inst Micro & Nanotecnol IMN CSIC Isaac Newton 8 Tres Cantos 28760 Spain;

    Univ Politecn Madrid Inst Optoelect Syst & Microtechnol ISOM Avda Complutense 30 Madrid 28040 Spain;

    Univ Politecn Madrid Inst Energia Solar IES Avda Complutense 30 Madrid 28040 Spain;

    Univ Politecn Madrid Inst Optoelect Syst & Microtechnol ISOM Avda Complutense 30 Madrid 28040 Spain;

    Univ Politecn Madrid Inst Optoelect Syst & Microtechnol ISOM Avda Complutense 30 Madrid 28040 Spain;

    Univ Politecn Madrid Inst Optoelect Syst & Microtechnol ISOM Avda Complutense 30 Madrid 28040 Spain;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    Molecular beam epitaxy; GaAsSbN; Multi-junction solar cells; Superlattices; Rapid thermal annealing; Short circuit current;

    机译：分子束外延;Gaassbn;多结太阳能电池;超晶格;快速热退火;短路电流;
  • 入库时间 2022-08-19 02:29:14

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