机译:氢化非晶硅中光致缺陷产生的分散过程
C-305, Wakabadai 2-12, Inagi, Tokyo 206-0824, Japan;
A. Disordered system; A. Amorphous Semiconductors; D. Recombination and trapping; D. Light-induced phenomena;
机译:氢化非晶硅中的重组过程和光致缺陷的产生
机译:氢化非晶硅中光致缺陷的热稳定性:对缺陷产生动力学的影响和网络微结构的作用
机译:氢化非晶硅膜和太阳能电池中光诱导缺陷产生的性质和动力学
机译:瞬态光电流谱法深度分析氢化非晶硅中的光致缺陷
机译:通过在高温和低压下制造来改善氢化非晶硅太阳能电池的光诱导降解
机译:通过快速热退火工艺增强氢化非晶碳化硅薄膜的光致发光
机译:氢化无定形硅中光诱导缺陷产生的模型模拟
机译:氢化富氮非晶氮化硅薄膜中光诱导缺陷的微观起源。