...
  • 主题
高级搜索  >
历史搜索 清空历史
首页> 外文期刊>Thin Solid Films >Analysis of thin layers and interfaces in ITO/a-Si:H/c-Si heterojunction solar cell structures by secondary ion mass spectrometry
【24h】

Analysis of thin layers and interfaces in ITO/a-Si:H/c-Si heterojunction solar cell structures by secondary ion mass spectrometry

机译：二次离子质谱法分析ITO / a-Si：H / c-Si异质结太阳能电池结构中的薄层和界面

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           
页面导航
  • 摘要
  • 著录项
  • 相似文献
  • 相关主题

摘要

Secondary ion mass spectrometry (SIMS) analysis of In, O, Si, and H concentrations versus depth distributions in ITO(In-Sn-O)/(n,p)a-Si:H/ (p,n)-Si and ITO/(p)-Si heterojunction (HJ) solar cell structures was performed. SIMS measurements show some peculiarities of the element profiles in the interface of ITO/a-Si:H and a-Si:H/Si regions. These peculiarities can be attributed to the non-homogeneities (In-rich nanostructures, small dents or mounds) of the ITO layer. It is shown that the formation of In-rich nanostructures is more pronounced in case of ITO growth on a (p)a-Si:H/(n) Si substrate at 230℃. SIMS profiles obtained from such non-homogeneous areas can show a penetration of In into the Si bulk, which is not a real distribution. A hydrogen redistribution from the a-Si:H layer into the neighboring ITO and Si layers in case of ITO/ (n,p)a-Si:H/(p,n)-Si structures as well as hydrogen gettering to the ITO/(p)-Si interface was detected. It is concluded that the final heterojunction structure of ITO/(n,p)a-Si:H/(p,n)c-Si is rather complex and includes in addition to the individual ITO, a-Si:H and Si layers also intermediate ones with different composition.
机译：二次离子质谱（SIMS）分析ITO（In-Sn-O）/（n，p）a-Si：H /（p，n）-Si和In中的In，O，Si和H浓度与深度分布进行了ITO /（p）-Si异质结（HJ）太阳能电池的结构。 SIMS测量显示了ITO / a-Si：H和a-Si：H / Si区域界面中元素分布的一些特殊性。这些特性可归因于ITO层的非均质性（富In纳米结构，小凹痕或土墩）。结果表明，在230℃下在（p）a-Si：H /（n）Si衬底上进行ITO生长时，富In纳米结构的形成更为明显。从这样的非均匀区域获得的SIMS剖面可以显示In渗透到Si块中，这不是真正的分布。在ITO /（n，p）a-Si：H /（p，n）-Si结构的情况下，氢从a-Si：H层重新分布到相邻的ITO和Si层中，以及氢吸杂到ITO检测到/（p）-Si接口。结论是，ITO /（n，p）a-Si：H /（p，n）c-Si的最终异质结结构相当复杂，除了单独的ITO外，还包括a-Si：H和Si层也是中间成分不同的。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

  • 客服微信

  • 服务号