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Gallium nitride and silicon carbide power technologies 3
Gallium nitride and silicon carbide power technologies 3
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机译:
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作者:
M. Kitabatake
会议名称:
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2013年
2.
Packaging Techniques for Compact SiC Power Modules Operable in an Extended Tj Range
机译:
可在扩展的Tj范围内运行的紧凑型SiC功率模块的封装技术
作者:
Satoshi Tanimoto
;
Kinuyo Watanabe
;
Hidekazu Tanisawa
;
Kohei Matsui
;
Shinji Sato
会议名称:
《Gallium nitride and silicon carbide power technologies 3》
|
2013年
3.
Properties of Al-SiO_2-SiC(3C) Structures with Thermally Grown and PECVD Deposited SiO_2 Layers
机译:
热生长和PECVD沉积SiO_2层的Al-SiO_2-SiC(3C)结构的性能
作者:
H. M. Przewlocki
;
T. Gutt
;
K. Piskorski
;
P. Borowicz
;
M. Bakowski
会议名称:
《Gallium nitride and silicon carbide power technologies 3》
|
2013年
4.
On the Temperature Dependence of the Hall Factor in n-channel 4H-SiC MOSFETs
机译:
n沟道4H-SiC MOSFET中霍尔因子的温度依赖性
作者:
V. Uhnevionak
;
A. Burenkov
;
C. Strenger
;
A. J. Bauer
;
P. Pichler
会议名称:
《Gallium nitride and silicon carbide power technologies 3》
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2013年
5.
Comparison of SiC Epitaxial Growth from Dichlorosilane and Tetrafluorosilane Precursors
机译:
二氯硅烷和四氟硅烷前体对SiC外延生长的比较
作者:
Haizheng Song
;
Tawhid Rana
;
M.V.S. Chandrashekhar
;
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;
Tangali S. Sudarshan
会议名称:
《Gallium nitride and silicon carbide power technologies 3》
|
2013年
6.
3C-SiC on Si Hetero-epitaxial Growth for Electronic and Biomedical Applications
机译:
3C-SiC在硅异质外延生长上的电子和生物医学应用
作者:
M. Reyes
;
C.L Frewin
;
P. J. Ward
;
S. E. Saddow
会议名称:
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7.
Ⅲ-Nitride Materials and Devices for Power Electronics
机译:
Ⅲ-电力电子氮化物材料及器件
作者:
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会议名称:
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8.
High performance normally-off GaN MOSFETs on Si substrates
机译:
硅衬底上的高性能常关型GaN MOSFET
作者:
H. Kambayashi
;
N. Ikeda
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;
H. Ueda
;
Y. Morozumi
;
K. Harada
;
K. Hasebe
;
A. Teramoto
;
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会议名称:
《Gallium nitride and silicon carbide power technologies 3》
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9.
Voltage Switching Limits of Lateral GaN Power Devices
机译:
横向GaN功率器件的电压开关极限
作者:
Krishna Shenai
会议名称:
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10.
True 'Figure of Merit (FOM)' of a Power Semiconductor Switch
机译:
功率半导体开关的真正“品质因数(FOM)”
作者:
Krishna Shenai
会议名称:
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2013年
11.
Reliability of GaN HEMTs: Electrical and Radiation-Induced Failure Mechanisms
机译:
GaN HEMT的可靠性:电和辐射引起的失效机制
作者:
T. J. Anderson
;
A.D. Koehler
;
M. J. Tadjer
;
K. D. Hobart
;
P. Specht
;
M. Porter
;
T.R. Weatherford
;
B. Weaver
;
J.K. Hite
;
F. J. Kub
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12.
Power Semiconductor Devices, Course Contents Revisited
机译:
功率半导体器件,课程内容再访
作者:
I. M. Abdel-Motaleb
会议名称:
《Gallium nitride and silicon carbide power technologies 3》
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13.
Ⅲ-N High-Power Bipolar Transistors
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Ⅲ-N大功率双极晶体管
作者:
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14.
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集成热管理的GaN功率晶体管
作者:
C.R. Eddy Jr.
;
T.J. Anderson
;
A.D. Koehler
;
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;
M.J. Tadjer
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R. Baranyai
;
J.W. Pomeroy
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J.K. Hite
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F.J. Kub
;
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《Gallium nitride and silicon carbide power technologies 3》
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15.
1000V Vertical JFET Using Bulk GaN
机译:
使用体氮化镓的1000V垂直JFET
作者:
Q. Diduck
;
H. Nie
;
B. Alvarez
;
A. Edwards
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D. Bour
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《Gallium nitride and silicon carbide power technologies 3》
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16.
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机译:
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作者:
Dong S. Lee
;
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;
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;
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17.
Synchrotron X-Ray Topography Studies of the Evolution of the Defect Microstructure in Physical Vapor Transport Grown 4H-SiC Single Crystals
机译:
物理气相传输生长的4H-SiC单晶中缺陷微结构演变的同步X射线形貌研究
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18.
3D TCAD Simulations for More Efficient SiC Power Devices Design
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19.
High Voltage InAlN/GaN HFETs Achieved by Schottky-Contact Technology for Power Applications
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作者:
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《Gallium nitride and silicon carbide power technologies 3》
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20.
Monolithic Integration of High Temperature Silicon Carbide Integrated Circuits
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高温碳化硅集成电路的单片集成
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|
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21.
Application Engineering of Wide Bandgap Semiconductors (Invited Paper)
机译:
宽带隙半导体的应用工程(特邀论文)
作者:
B. Sarlioglu
;
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J. Noppakunkajorn
;
A. Ogale
会议名称:
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|
2013年
22.
Electrochemical Hydrogenation of Dimensional Carbon
机译:
尺寸碳的电化学加氢
作者:
K.M. Daniels
;
S. Shetu
;
J. Staser
;
J. Weidner
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C. Williams
;
T. S. Sudarshan
;
MVS Chandrashekhar
会议名称:
《Gallium nitride and silicon carbide power technologies 3》
|
2013年
23.
Growth of GaN by MOCVD on Rare Earth Oxide on Si(111)
机译:
MOCVD在Si(111)上的稀土氧化物上生长GaN
作者:
F. Erdem Arkun
;
Rytis Dargis
;
Andrew Clark
;
Robin S. Smith
;
Michael Lebby
;
Jeffrey M. Leathersich
;
F. Shahedipour-Sandvik
会议名称:
《Gallium nitride and silicon carbide power technologies 3》
|
2013年
24.
A Thermodynamic Interpretation of PVT Growth of Single Crystal SiC Material and Challenges in Reducing Dislocations
机译:
单晶SiC材料PVT生长的热力学解释及减少位错的挑战
作者:
T. Fujimoto
;
M. Katsuno
;
H. Tsuge
;
S. Sato
;
S. Ushio
;
K. Tani
;
H. Yashiro
;
H. Hirano
;
T. Yano
会议名称:
《Gallium nitride and silicon carbide power technologies 3》
|
2013年
25.
Unexpected Sources of Basal Plane Dislocations in 4H-SiC Epitaxy
机译:
4H-SiC外延中基底平面位错的意外来源
作者:
R. E. Stahlbush
;
N. A. Mahadik
会议名称:
《Gallium nitride and silicon carbide power technologies 3》
|
2013年
26.
Growth of High-Quality GaN Template From Nanometer-Size Lattice Channels By Hydride Vapor Phase Epitaxy
机译:
氢化物气相外延从纳米尺寸晶格通道生长高质量GaN模板
作者:
A. Usui
;
H. Goto
;
T. Nakagawa
;
H. Sunakawa
;
T. Matsueda
;
A. Okada
;
J. Mizuno
;
A. A. Yamaguchi
;
H. Shinohara
;
H. Goto
会议名称:
《Gallium nitride and silicon carbide power technologies 3》
|
2013年
27.
Channel Transport in 4H-SiC MOSFETs: A Brief Review
机译:
4H-SiC MOSFET中的沟道传输:简要回顾
作者:
Sarit Dhar
会议名称:
《Gallium nitride and silicon carbide power technologies 3》
|
2013年
28.
Influence of ion implantation in SiC on the channel mobility in lateral n-channel MOSFETs
机译:
SiC中离子注入对横向n沟道MOSFET中沟道迁移率的影响
作者:
C. Strenger
;
V. Uhnevionak
;
A. Burenkov
;
A. J. Bauer
;
P. Pichler
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T. Erlbacher
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L. Frey
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《Gallium nitride and silicon carbide power technologies 3》
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2013年
29.
Key Reliability Issues for SiC Power MOSFETs
机译:
SiC功率MOSFET的关键可靠性问题
作者:
A. Lelis
;
D. Habersat
;
R. Green
;
E. Mooro
会议名称:
《Gallium nitride and silicon carbide power technologies 3》
|
2013年
30.
Reducing the wafer off angle for 4H-SiC homoepitaxy
机译:
减少晶圆的倾斜角,实现4H-SiC同质性
作者:
K. Kojima
;
K. Masumoto
;
S. Ito
;
A. Nagata
;
H. Okumura
会议名称:
《》
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2013年
31.
Normally-off GaN Transistors for Power Switching Applications
机译:
用于功率开关应用的常关GaN晶体管
作者:
O. Hilt
;
E. Bahat-Treidel
;
F. Brunner
;
A. Knauer
;
R. Zhytnytska
;
P. Kotara
;
J. Wuerfl
会议名称:
《Gallium nitride and silicon carbide power technologies 3》
|
2013年
32.
Characterization and Performance of D-mode GaN HEMT Transistor Used in a Cascode Configuration
机译:
级联配置中使用的D型GaN HEMT晶体管的特性和性能
作者:
T. MacElwee
;
J. Roberts
;
H. Lafontaine
;
I. Scott
;
G. Klowak
;
L. Yushyna
会议名称:
《Gallium nitride and silicon carbide power technologies 3》
|
2013年
33.
GaN-based power HEMTs: Parasitic, Reliability and high field issues
机译:
GaN基功率HEMT:寄生,可靠性和高场问题
作者:
G. Meneghesso
;
M. Meneghini
;
D. Bisi
;
R. Silvestri
;
A. Zanandrea
;
O. Hilt
;
E. Bahat-Treidel
;
F. Brunner
;
A. Knauer
;
J. Wuerfl
;
E. Zanoni
会议名称:
《Gallium nitride and silicon carbide power technologies 3》
|
2013年
34.
Progress in SiC MOSFET Reliability
机译:
SiC MOSFET可靠性研究进展
作者:
D. R. Hughart
;
J. D. Flicker
;
S. D. DasGupta
;
S. Atcitty
;
R. J. Kaplar
;
M. J. Marinella
会议名称:
《Gallium nitride and silicon carbide power technologies 3》
|
2013年
35.
Systems-Driven Power Semiconductor Education
机译:
系统驱动的功率半导体教学
作者:
Krishna Shenai
会议名称:
《Gallium nitride and silicon carbide power technologies 3》
|
2013年
36.
Power Semiconductor Device Education: Which Topics and What Depth?
机译:
功率半导体器件培训:哪些主题和深度?
作者:
William P. Robbins
;
Ned Mohan
会议名称:
《Gallium nitride and silicon carbide power technologies 3》
|
2013年
37.
Power Electronic Module Packaging at UA
机译:
UA的电力电子模块包装
作者:
S. S. Ang
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H. A. Mantooth
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J. C. Balda
会议名称:
《Gallium nitride and silicon carbide power technologies 3》
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38.
AlGaN/GaN MIS-HEMT Gate Structure Improvement Using Al_2O_3 Deposited by PEALD and BCl_3 Gate Recess Etching
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利用PEALD沉积Al_2O_3和BCl_3栅凹槽刻蚀改善AlGaN / GaN MIS-HEMT栅结构。
作者:
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会议名称:
《Gallium nitride and silicon carbide power technologies 3》
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2013年
39.
Ammonothermal Bulk GaN Substrates for Power Electronics
机译:
电力电子用氨热块状GaN衬底
作者:
M. P. DEvelyn
;
D. Ehrentraut
;
W. Jiang
;
D. S. Kamber
;
B. C. Downey
;
R. T. Pakalapati
;
H.-D. Yoo
会议名称:
《Gallium nitride and silicon carbide power technologies 3》
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2013年
40.
Manufacturing Challenges in Wide Band Gap (WBG) Power Electronics
机译:
宽带隙(WBG)电力电子的制造挑战
作者:
Krishna Shenai
会议名称:
《Gallium nitride and silicon carbide power technologies 3》
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2013年
41.
Basal Plane Dislocation Mitigation using High Temperature Annealing in 4H-SiC Epitaxy
机译:
在4H-SiC外延中使用高温退火缓解基面位错
作者:
N. A. Mahadik
;
A. Nath
;
E. A. Imhoff
;
R. E. Stahlbush
;
R. Nipoti
会议名称:
《Gallium nitride and silicon carbide power technologies 3》
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2013年
42.
Heat Dissipation in GaN Based Power Electronics
机译:
GaN基电力电子中的散热
作者:
Zonghui Su
;
Jonathan A. Malen
会议名称:
《Gallium nitride and silicon carbide power technologies 3》
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2013年
43.
Interaction of Defects with Quantum Well States: Electrostatic-Dependent Response Time for Traps in AlGaN/GaN HEMTs
机译:
缺陷与量子阱状态的相互作用:AlGaN / GaN HEMT中陷阱的静电依赖性响应时间
作者:
M. J. Marinella
;
S. DasGupta
;
R. J. Kaplar
;
M. Sun
;
S. Atcitty
;
T. Palacios
会议名称:
《Gallium nitride and silicon carbide power technologies 3》
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2013年
44.
Power Semiconductor Device Modeling and Simulation
机译:
功率半导体器件建模与仿真
作者:
H. A. Mantooth
;
S. Ahmed
;
S. S. Ang
会议名称:
《Gallium nitride and silicon carbide power technologies 3》
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2013年
45.
Studying the Performance of Series-Connected GaN FETs in Higher Voltage Switching Applications
机译:
研究高压开关应用中串联GaN FET的性能
作者:
A. Hasanzadeh
;
A. Khaligh
会议名称:
《Gallium nitride and silicon carbide power technologies 3》
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2013年
46.
Materials Issues for Vertical Gallium Nitride Power Devices
机译:
垂直氮化镓功率器件的材料问题
作者:
Adrian D. Williams
;
Theodore D. Moustakas
会议名称:
《Gallium nitride and silicon carbide power technologies 3》
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2013年
47.
Abrasive-Free Polishing of SiC Wafer Utilizing Catalyst Surface Reaction
机译:
利用催化剂表面反应对SiC晶片进行无磨蚀抛光
作者:
Y. Sano
;
K. Arima
;
K. Yamauchi
会议名称:
《Gallium nitride and silicon carbide power technologies 3》
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2013年
48.
Preface
机译:
前言
作者:
K. Shenai
;
M. Bakowski
;
M. Dudley
;
N. Ohtani
会议名称:
《Gallium nitride and silicon carbide power technologies 3》
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2013年
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