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IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09
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1.
AKEBONO: A novel quick incremental placer
机译:
AKEBONO:一种新颖的快速增量放置器
作者:
Xin Zhang
;
Takeuchi T.
;
Toyonaga M.
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
VLSI;
electronic engineering computing;
integrated circuit design;
AKEBONO;
engineering change order;
hierarchical partitioning;
incremental placement algorithm;
quick incremental placer;
radix-like sort algorithm;
standard cell placement;
very large scale integration;
partitioning;
physical design;
placement;
very large scale integration (VLSI);
2.
Applications of network coding in global routing
机译:
网络编码在全局路由中的应用
作者:
Nemade N.
;
Sprintson A.
;
Jiang Hu
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
VLSI;
network routing;
optimisation;
VLSI designs;
global routing;
interconnect optimization;
network coding;
3.
QorIQ P4080 Communications Processor design in 45nm SOI
机译:
45nm SOI中的QorIQ P4080通信处理器设计
作者:
Bartlett Greg
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
4.
Timing analysis of dual-edge-triggered flip-flop based circuits with clock gating
机译:
具有时钟门控的基于双沿触发的触发器的电路时序分析
作者:
Chungki Oh
;
Sangmin Kim
;
Youngsoo Shin
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
clocks;
flip-flops;
integrated circuit design;
logic design;
timing circuits;
DETFF-based design;
clock frequency;
clock gating logic;
clock power;
cumulative slack histogram;
dual-edge-triggered flip-flop based circuit;
required arrival times;
size 65 nm;
timing analysis;
5.
A sub 2W low power IA processor for Mobile Internet Devices in 45nm Hi-K metal gate CMOS
机译:
用于45nm Hi-K金属门CMOS的移动互联网设备的2W以下低功耗IA处理器
作者:
Gerosa Gianfranco
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
6.
Through Silicon Via stress characterization
机译:
通过硅过孔应力表征
作者:
Thuy Dao
;
Triyoso D.H.
;
Petras M.
;
Canonico M.
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
integrated circuit design;
wafer-scale integration;
Micro Raman stress data;
Si;
Through Silicon Via stress characterization;
design consideration;
7.
A low-power and multi-mode design approach for reconfigurable MASH SDM
机译:
用于可重构MASH SDM的低功耗和多模式设计方法
作者:
Hsin-Liang Chen
;
Jen-Shiun Chiang
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
CMOS integrated circuits;
WiMax;
code division multiple access;
low-power electronics;
radiotelephony;
sigma-delta modulation;
CMOS technology;
GSM;
WCDMA;
low-power design;
multimode design;
multistage noise shaped architecture;
power dissipation;
power optimization;
reconfigurable MASH SDM;
sigma-delta modulator;
High-speed;
Low-power;
MASH;
Reconfigurable;
Software-defined radio;
8.
Self-aligned In
0.53
Ga
0.47
As MOSFETs with atomic layer deposited Al
2
O
3
, ZrO
2
, and stacked Al
2
O
3
/ZrO
2
gate dielectrics
机译:
自对准In
0.53 inf> Ga
0.47 inf> As原子层沉积Al
2 inf> O
3 inf>,ZrO
的MOSFET 2 inf>和堆叠的Al
2 inf> O
3 inf> / ZrO
2 inf>栅极电介质
作者:
Han Zhao
;
Lee J.C.
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
MOSFET;
aluminium compounds;
atomic layer deposition;
capacitance;
dielectric materials;
indium compounds;
zirconium compounds;
Alsub2/subOsub3/sub;
Alsub2/subOsub3/sub-ZrOsub2/sub;
Insub0.53/subGasub0.47/subAs;
ZrOsub2/sub;
capacitance equivalent thickness;
gate dielectrics;
Alinf2/infOinf3/inf;
InGaAs;
MOSFETs;
ZrOinf2/inf;
9.
A 1.8V 200mW 8-bit 1GSPS CMOS A/D converter with a cascaded-folding and an interpolation
机译:
具有级联折叠和插值功能的1.8V 200mW 8位1GSPS CMOS A / D转换器
作者:
Jooho Hwang
;
Dongheon Lee
;
Sunghyun Park
;
Junho Moon
;
Minkyu Song
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
CMOS integrated circuits;
analogue-digital conversion;
encoding;
interpolation;
1-poly 5-metal CMOS technology;
8-bit 1GSPS CMOS A/D converter;
analog-to-digital converter;
auto-switching encoder;
cascaded-folding;
folder averaging technique;
frequency 1 GHz;
noise figure 46.29 dB;
power 200 mW;
self-linearized preamplifier;
size 0.18 mum;
source degeneration technique;
voltage 1.8 V;
word length 8 bit;
ADC;
folder averaging;
10.
Machine learning based lithographic hotspot detection with critical-feature extraction and classification
机译:
基于机器学习的具有关键特征提取和分类的光刻热点检测
作者:
Duo Ding
;
Xiang Wu
;
Ghosh J.
;
Pan D.Z.
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
electronic engineering computing;
feature extraction;
learning (artificial intelligence);
proximity effect (lithography);
critical feature classification;
critical feature extraction;
layout binary image patterns;
lithographic hotspot detection flow;
low noise MLK supervised training;
machine learning kernel;
11.
Statistical-aware designs for the nm era
机译:
nm时代的统计感知设计
作者:
Joshi R.
;
Kanj R.
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
SRAM chips;
circuit stability;
integrated circuit design;
integrated circuit noise;
integrated circuit yield;
SRAM;
bitline clamping;
design yield;
dual supply technique;
dynamic noise margin;
dynamic stability;
memory design;
nm era;
statistical-aware design;
variability-driven design;
DFM;
test;
variation-tolerant designs;
yield;
12.
Operation of multi-level phase change memory using various programming techniques
机译:
使用各种编程技术操作多级相变存储器
作者:
Jun-Tin Lin
;
Yi-Bo Liao
;
Meng-Hsueh Chiang
;
Wei-Chou Hsu
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
phase change memories;
programming;
constant pulse;
decreasing pulse;
increasing pulse;
multilevel cell scheme;
multilevel phase change memory;
programming techniques;
slow quenching scheme;
writing operation;
Phase change memory (PCM);
multi-level cell (MLC);
13.
Robust multi-V
T
4T SRAM cell in 45nm thin BOx fully-depleted SOI technology with ground plane
机译:
坚固的多V
T inf> 4T SRAM单元,采用45nm薄型BOx全耗尽SOI技术,具有接地层
作者:
Noel J.-P.
;
Thomas O.
;
Fenouillet-Beranger C.
;
Jaud M.-A.
;
Amara A.
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
MOSFET;
SRAM chips;
silicon-on-insulator;
45nm bulk technology;
GP doping;
current 13 pA;
fully-depleted silicon-on-insulator MOSFET;
ground plane;
multiVsubT/sub 4T SRAM cell;
size 45 nm;
thin buried oxide;
14.
Future of planar self-aligned block oxide based MOSFET technology
机译:
基于平面自对准块氧化物的MOSFET技术的未来
作者:
Jyi-Tsong Lin
;
Yi-Chuen Eng
;
Chih-Hao Kuo
;
Tzu-Feng Chang
;
Chih-Hung Sun
;
Po-Hsieh Lin
;
Hsien-Nan Chiu
;
Hsuan-Hsu Chen
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
MOSFET;
semiconductor device reliability;
technology CAD (electronics);
TCAD;
capacitance-voltage characteristics;
current-voltage characteristics;
floating-body effects;
fully depleted silicon-on-insulator;
metal-oxide semiconductor field-effect transistors;
multi-substrate contact FET;
planar self-aligned block oxide;
self-heating;
short-channel effects;
silicon-on-partial-insulator;
source/drain-tied bFDSOI-FET;
substrate-tie transistors;
technology computer-aided design;
Self-aligned (SA) block oxide (BO) me;
15.
Embedded Nonvolatile Memory technology
机译:
嵌入式非易失性存储器技术
作者:
Baker K.
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
embedded systems;
random-access storage;
bit cell selection;
design technology;
device technology;
embedded nonvolatile memory;
erase technique;
nanocrystal charge storage;
nitride charge storage;
process technology;
program technique;
semiconductor application;
source-side programming;
split-gate cells;
Embedded NVM;
split gate bit cell;
16.
A novel poly-Si thin-film transistor with multi-trenched body by using Isotropic-etching for Suppressing Off-State Leakage
机译:
利用各向同性刻蚀抑制多态沟槽的新型多沟槽多晶硅薄膜晶体管
作者:
Hsien-Nan Chiu
;
Jyi-Tsong Lin
;
Yi-Chuen Eng
;
Po-Hiesh Lin
;
Tzu-Feng Chang
;
Chih-Hung Sun
;
Chih-Hao Kuo
;
Hsuan-Hsu Chen
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
etching;
thermal stability;
thin film transistors;
drain-induced barrier lowering;
isotropic etching;
multitrenched body polysilicon thin film transistor;
off-state leakage;
subthreshold swing;
Polysilicon thin-film transistor with multi-trenched body (MTB poly-Si TFT);
17.
Semi-custom design flow: Leveraging Place and route tools in Custom Circuit design
机译:
半定制设计流程:在定制电路设计中利用布局和布线工具
作者:
Eleyan N.N.
;
Ken Lin
;
Kamal M.
;
Mohammad B.
;
Bassett P.
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
application specific integrated circuits;
integrated circuit design;
network routing;
custom circuit design;
hybrid design flow;
route design;
semicustom design flow;
Circuit synthesis;
Design automation;
18.
The tunnel source MOSFET: A novel asymmetric device solution for ultra-low power applications
机译:
隧道源极MOSFET:适用于超低功耗应用的新型非对称器件解决方案
作者:
Venkatagirish N.
;
Tura A.
;
Jhaveri R.
;
Hsu-Yu Chang
;
Woo J.
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
MOSFET;
leakage currents;
low-power electronics;
tunnelling;
VDD scaling limitation;
aggressive MOSFET scaling;
asymmetric device solution;
asymmetric tunneling source MOSFET;
band-to-band tunneling;
gate controlled carrier injection;
gate leakage;
high subthreshold swing;
off-state leakage;
parasitic capacitance;
power dissipation;
short channel effects;
steep subthreshold behavior;
tunnel source MOSFET;
ultra-low power application;
steep sub-threshold swing;
19.
High mobility III–V channel MOSFETs for post-Si CMOS applications
机译:
适用于后硅CMOS应用的高迁移率III–V沟道MOSFET
作者:
Yanning Sun
;
Kiewra E.W.
;
De Souza J.P.
;
Koester S.J.
;
Bucchignano J.J.
;
Ruiz N.
;
Fogel K.E.
;
Sadana D.K.
;
Shahidi G.G.
;
Fompeyrine J.
;
Webb D.J.
;
Sousa M.
;
Marchiori C.
;
Germann R.
;
Shiu K.T.
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
CMOS integrated circuits;
III-V semiconductors;
MOSFET;
gallium arsenide;
indium compounds;
GaAs;
GaAs MOSFETs;
III-V compound semiconductors;
InGaAs;
channel materials;
current 960 muA;
high mobility III-V channel MOSFETs;
on-state current;
post-Si CMOS application;
short-channel InGaAs MOSFETs;
transconductance;
virtual source velocity;
CMOS;
III–V;
InGaAs short-channel MOSFET;
scaling;
20.
Simulation and experimental study on the characteristics of plasma-induced damage and methodology for accurate damage analysis
机译:
等离子体损伤特征的仿真与实验研究及精确损伤分析方法
作者:
Matsuda A.
;
Nakakubo Y.
;
Ogino R.
;
Ohta H.
;
Eriguchi K.
;
Ono K.
会议名称:
《》
|
2009年
关键词:
band structure;
ellipsometry;
molecular dynamics method;
spectroscopy;
sputter etching;
substrates;
Si;
accurate damage analysis;
comprehensive damage analysis;
device performance degradation;
energetic ions;
energy band structure;
molecular dynamics simulation;
plasma parameter;
plasma-induced damage;
silicon substrate;
spectroscopic ellipsometry measurement;
plasma etching;
recess structure;
silicon;
21.
Study of plasma-induced “Si recess structure” and its effects on threshold voltage variability in advanced MOSFETs
机译:
等离子体诱导的“硅凹槽结构”及其对高级MOSFET阈值电压可变性的影响的研究
作者:
Eriguchi K.
;
Matsuda A.
;
Nakakubo Y.
;
Kamei M.
;
Ohta H.
;
Ono K.
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
MOSFET;
silicon;
Si;
advanced MOSFET;
inductively coupled plasma reactor;
plasma-induced Si recess structure;
threshold voltage shift;
threshold voltage variability;
Inductively coupled plasma;
device simulation;
plasma-induced damage;
recess structure;
threshold voltage;
22.
Factors impacting stabilization of tetragonal phase in Hf
x
Zr
1−x
O
2
high-k dielectrics
机译:
Hf
x inf> Zr
1-x inf> O
2 inf>高k电介质中四方相稳定性的影响因素
作者:
Triyoso D.H.
;
Hegde R.I.
;
Gregory R.
;
Spencer G.
;
Schaeffer J.K.
;
Raymond M.
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
annealing;
coating techniques;
dielectric materials;
hafnium compounds;
stability;
Hfsubx/subZrsub1-x/subOsub2/sub;
annealing ambient;
capping layer;
deposition technique;
factors impacting stabilization;
hafnium based dielectrics;
high-k dielectrics;
precursor combination;
tetragonal phase;
zirconium;
23.
Impact of gate-oxide breakdown on power-gated SRAM
机译:
栅极氧化物击穿对功率门控SRAM的影响
作者:
Hao-I Yang
;
Ching-Te Chuang
;
Wei Hwang
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
SRAM chips;
integrated circuit design;
integrated circuit noise;
semiconductor device breakdown;
transistor circuits;
cell transistor;
column-based header-gated SRAM;
drain-to-drain BD;
footer-gated SRAM;
gate-oxide breakdown;
power switch;
power-gated SRAM;
read static noise margin;
write margin;
SRAM;
power gating technology;
24.
SEE characterization and mitigation in ultra-deep submicron technologies
机译:
超深亚微米技术的SEE表征和缓解
作者:
Mavis D.G.
;
Eaton P.H.
;
Sibley M.D.
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
radiation hardening (electronics);
space vehicle electronics;
SEE characterization;
SEE mitigation;
circuit-level hardening;
cosmic-ray neutron recoil byproducts;
digital single event transient;
heavy-ion effects;
high-altitude application;
microcircuits;
multiple bit upset effects;
radiation response;
single event effect mitigation;
single event upset;
soft error rate;
space application;
terrestrial application;
ultra-deep submicron technologies;
Heavy-ion testing;
Milli-Beam;
multiple bit upset;
single bit upset;
s;
25.
A 2.5 GHz radiation hard fully self-biased PLL using 0.25 µm SOS-CMOS technology
机译:
采用0.25 µm SOS-CMOS技术的2.5 GHz辐射硬全自偏置PLL
作者:
Ghosh P.P.
;
Xiao E.
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
CMOS integrated circuits;
phase locked loops;
phase noise;
radiation hardening (electronics);
voltage-controlled oscillators;
Cadence-SpectreRF schematic simulation;
SOS-CMOS technology;
VCO;
differential buffers;
frequency 2.5 GHz;
layout simulation;
radiation hard fully self-biased PLL;
size 0.25 mum;
space application;
temperature -40 degC to 80 degC;
CMOS;
PLL;
Rad-Hard;
SOS - Silicon on Sapphire;
Self-bias;
26.
Implementation of area efficient H.264/AVC CAVLC decoder
机译:
区域高效的H.264 / AVC CAVLC解码器的实现
作者:
Byung-Sik Choi
;
Jong-Yeol Lee
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
VLSI;
adaptive codes;
hardware description languages;
power consumption;
table lookup;
variable length codes;
video codecs;
CAVLC decoder;
H.264/AVC;
VLSI architecture;
Verilog HDL;
area-efficient method;
barrel shifter;
frequency 50 MHz;
lookup table;
overlapped logics;
size 0.35 micron;
standard cell library;
Area reduction;
CAVLD;
27.
ESD protection for RF/AMS ICs: Design and optimization
机译:
RF / AMS IC的ESD保护:设计和优化
作者:
Wang X.
;
Tang H.
;
Lin L.
;
Fang Q.
;
Zhao H.
;
Wang A.
;
Zhang G.
;
Zhou Y.
;
Lee Yang
;
Chen H.
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
analogue integrated circuits;
circuit optimisation;
electrostatic discharge;
integrated circuit design;
mixed analogue-digital integrated circuits;
radiofrequency integrated circuits;
ESD-RFIC codesign;
ESD-RFIC interaction;
RF ESD design characterization;
RF ESD design optimization;
RF ESD design prediction;
analog/mixed-signal IC;
whole-chip ESD protection design optimization;
ESD protection;
RF ESD;
co-design;
28.
A 0.9 V to 5 V mixed-voltage I/O buffer using NMOS clamping technique
机译:
采用NMOS钳位技术的0.9 V至5 V混合电压I / O缓冲器
作者:
Chua-Chin Wang
;
Jen-Wei Liu
;
Ron-Chi Kuo
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
MOS integrated circuits;
buffer circuits;
leakage currents;
NMOS clamping technique;
capacitive load;
dynamic gate bias generator;
floating N-well circuit;
gate drive voltages;
gate-oxide overstress hazard;
leakage current effect;
mixed-voltage I/O buffer;
voltage 0.9 V to 5 V;
voltage level signal;
I/O buffer;
gate-oxide reliability;
gate-traking circuit;
mixed-voltage-tolerant;
29.
Improvement of LDO's PSRR deteriorated by reducing power consumption : Implementation and experimental results
机译:
降低功耗会降低LDO的PSRR:实施和实验结果
作者:
Socheat Heng
;
Cong-Kha Pham
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
CMOS integrated circuits;
low-power electronics;
power consumption;
reference circuits;
voltage regulators;
CMOS;
bulk-gate controlled circuit;
current 35 muA;
current 8.5 muA;
frequency 1 kHz;
frequency 10 Hz;
low dropout voltage regulator;
over current protection circuit;
power consumption reduction;
power supply rejection ratio;
reference circuit;
size 0.18 mum;
Error Amplifier;
Low Dropout Regulator;
Low Power;
Low Voltage;
30.
ICICDT tutorials
机译:
ICICDT教程
作者:
Kim Chris H.
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
31.
A simple fast exact density calculation algorithm
机译:
一种简单的快速精确密度计算算法
作者:
Hua Xiang
;
Chu C.
;
Puri R.
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
VLSI;
density control;
integrated circuit design;
integrated circuit yield;
VLSI technology;
chips;
density calculation;
maximum density window;
yield design;
32.
Table of content
机译:
表中的内容
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
33.
Author index
机译:
作者索引
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
34.
Back cover
机译:
封底
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
35.
Large random telegraph noise in sub-threshold operation of nano-scale nMOSFETs
机译:
纳米级nMOSFET亚阈值操作中的大量随机电报噪声
作者:
Campbell J.P.
;
Yu L.C.
;
Cheung K.P.
;
Qin J.
;
Suehle J.S.
;
Oates A.
;
Sheng K.
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
MOSFET;
low-power electronics;
nanoelectronics;
channel dimension scaling;
circuit variability;
gate overdrive;
highly scaled devices;
low-frequency noise measurements;
nanoscale nMOSFETs;
random telegraph noise;
subVTH low-frequency noise;
subthreshold operation;
subthreshold voltage operation;
RTN;
Sub-VinfTH/inf operation;
36.
Title and copyright page
机译:
标题和版权页面
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
37.
Committee members
机译:
委员会成员
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
38.
Implementation and evaluation of fine-grain run-time power gating for a multiplier
机译:
乘法器细粒度运行时电源门控的实现和评估
作者:
Usami K.
;
Nakata M.
;
Shirai T.
;
Takeda S.
;
Seki N.
;
Amano H.
;
Nakamura H.
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
CMOS integrated circuits;
circuit simulation;
multiplying circuits;
CMOS technology;
CPU;
JPEG encoding program;
MIPS R3000;
break-even time;
delay-skewed buffering;
energy dissipation;
energy overhead;
fine-grain run-time power gating;
multiplier;
post-layout simulation;
power switches;
upper array;
wasteful leakage energy;
39.
Timing yield estimation with clock network correlations by propagating discrete probability distributions
机译:
通过传播离散概率分布来估计具有时钟网络相关性的时序产量
作者:
Lee-eun Yu
;
Changsik Shin
;
Jing-Jia Liou
;
Youngsoo Shin
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
probability;
sequential circuits;
clock network correlation;
clocked sequential circuit;
discrete probability distribution;
timing yield estimation;
40.
Accurate global u00026; local circuit leakage current analysis based on design of experiment method
机译:
准确的全局 u00026;基于实验方法设计的局部电路漏电流分析
作者:
Min M.Y.S.
;
Thomas O.
;
Valentian A.
;
de Crecy F.
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
design of experiments;
leakage currents;
response surface methodology;
accurate estimation;
design of experiment method;
electrical circuit behavior;
global circuit leakage current analysis;
local circuit leakage current analysis;
response surface equation;
response surface model;
standard cell libarary;
static leakage current;
statistical methodology;
Corner analysis;
Design of Experiment;
Statistical analysis;
Variability;
41.
Network flow based BSM asssignment
机译:
基于网络流的BSM分配
作者:
Hua Xiang
;
Haoxing Ren
;
Tingdong Zhou
会议名称:
《》
|
2009年
关键词:
network routing;
signal flow graphs;
bipartite graph;
bottom surface metal assignment;
differential pair routing;
high frequency signal;
high speed signal;
min-cost max-flow solution;
network flow graph;
package device;
routability;
routing resource;
scaled flow graph;
42.
A 30V complementary bipolar technology for xDSL line drivers
机译:
用于xDSL线路驱动器的30V互补双极技术
作者:
Speyer C.J.
;
Krutsick T.J.
;
Moriarty J.K.
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
digital subscriber lines;
silicon-on-insulator;
complementary silicon bipolar technology;
fabless semiconductor company;
frequency 3.5 GHz;
high speed analog components;
silicon on insulator;
voltage 30 V;
xDSL line drivers;
DSL;
High Voltage;
SOI;
Silicon bipolar modeling and simulation;
Silicon bipolar process technology;
43.
Recent advances in RF-LDMOS high-power IC development
机译:
RF-LDMOS大功率IC开发的最新进展
作者:
Burger W.R.
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
MOS integrated circuits;
WiMax;
power integrated circuits;
radiofrequency integrated circuits;
IC development;
RF-LDMOS;
WiMAX frequencies;
power device technology;
44.
Cell Merge: A basic-pre-clustering clustering algorithm for placement
机译:
单元合并:一种基本的预聚类放置算法
作者:
Xin Zhang
;
Takeuchi T.
;
Toyonaga M.
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
VLSI;
circuit CAD;
circuit complexity;
computational complexity;
digital integrated circuits;
pattern clustering;
basic-pre-clustering clustering algorithm;
cell merge;
circuit size;
linear time complexity;
clustering;
partitioning;
physical design;
placement;
very large scale integration (VLSI);
45.
Plenary u00026; workshop sessions
机译:
全体会议研讨会
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
46.
An innovative timing slack monitor for variation tolerant circuits
机译:
创新的时序松弛监测器,用于容差电路
作者:
Rebaud B.
;
Belleville M.
;
Beigne E.
;
Robert M.
;
Maurine P.
;
Azemard N.
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
clocks;
flip-flops;
integrated circuit design;
logic CAD;
statistical analysis;
timing circuits;
CAD flow;
clock-tree;
detection window generation;
dynamic variation;
flip-flop;
innovative timing slack monitor;
size 45 nm;
statistical methodology;
system failure;
timing violation;
variation tolerant circuit;
Adaptation;
Clock Tree;
Monitor;
Performance;
Reliability;
Timing slack;
Variability;
47.
Monolayer doping and diameter-dependent electron mobility assessment of nanowires
机译:
纳米线的单层掺杂和与直径相关的电子迁移率评估
作者:
Ford A.C.
;
Ho J.C.
;
Yu-Lun Chueh
;
Javey A.
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
III-V semiconductors;
electron mobility;
field effect transistors;
nanowires;
semiconductor doping;
surface roughness;
surface scattering;
InAs nanowire field-effect transistors;
diameter-dependent electron mobility assessment;
field-effect mobility;
low-temperature transport behavior;
mobility degradation;
molecular monolayer doping method;
nanowire radius;
nonplanar semiconductors;
spike annealing;
sub-5nm ultrashallow junctions;
surface roughness scattering;
temperature-dependent current-voltage behavior;
InAs;
48.
Dynamic cache resizing architecture for high yield SOC
机译:
动态缓存大小调整架构,可实现高成品率SOC
作者:
Mohammad B.
;
Rab M.T.
;
Mohammad K.
;
Suleman M.A.
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
SRAM chips;
built-in self test;
cache storage;
logic design;
system-on-chip;
BIST;
SOC design;
SRAM-based cache memory;
dynamic cache resizing architecture;
pMOS NBTI;
caches;
high yield;
memory architecture;
processors design;
sram memory;
49.
An on-chip process control monitor for process variability measurements in nanometer technologies
机译:
一种用于纳米技术中过程变化性测量的片上过程控制监视器
作者:
Klass F.
;
Jain A.
;
Hess G.
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
low-power electronics;
nanoelectronics;
process monitoring;
system-on-chip;
Moore law;
all-digital on-chip process control monitor;
bulk CMOS process;
exponential growth;
low-power requirements;
mobile devices;
nanometer technologies;
process variability measurement;
shrinking geometries;
subnanometer dimensions;
ultra low-power multimillion gate SoC;
Device mismatch;
electrical variable measurements;
process control;
process variability;
random variations;
statistics;
50.
Dynamic power analysis for custom designs
机译:
定制设计的动态功耗分析
作者:
Bijansky S.
;
Mohd B.
;
Mohammad B.
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
SPICE;
hardware description languages;
custom design;
custom-based cache design;
dynamic power analysis;
fast spice simulator;
optimization;
post-layout capacitance extraction;
power estimation;
schematic netlist;
simulation speed;
spice simulation window;
switch-level Verilog;
transistor level Verilog netlist;
transistor level schematics;
VLSI design;
Verilog simulation;
activity factor;
51.
Systematic approach of FinFET based SRAM bitcell design for 32nm node and below
机译:
基于FinFET的32nm及以下节点的SRAM位单元设计的系统方法
作者:
Song S.C.
;
Abu-Rahma M.
;
Han B.M.
;
Ge L.
;
Yoon S.S.
;
Wang J.
;
Yang W.
;
Liu D.
;
Hu C.
;
Yeap G.
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
MOSFET;
SRAM chips;
integrated circuit design;
Fin configuration;
FinFET bitcell;
SRAM bitcell design;
size 32 nm;
22nm;
32nm;
Bitcell;
FinFET;
Icell;
MuGFET;
SNM;
SRAM;
Vccmin;
52.
Stacked 3-dimensional 6T SRAM cell with independent double gate transistors
机译:
具有独立双栅极晶体管的堆叠式3D 6T SRAM单元
作者:
Weis M.
;
Pfitzner A.
;
Kasprowicz D.
;
Emling R.
;
Fischer T.
;
Henzler S.
;
Maly W.
;
Schmitt-Landsiedel D.
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
SRAM chips;
field effect transistors;
cell stability;
compact stacked 3D memory cell topology;
independent double gate transistors;
memory cell area reduction;
read operation;
stacked 3-dimensional 6T SRAM cell;
vertical slit field effect transistor;
write operation;
53.
Technology and design aspects of ultra-thin silicon chips for bendable electronics
机译:
用于可弯曲电子设备的超薄硅芯片的技术和设计方面
作者:
Richter H.
;
Rempp H.D.
;
Hassan M.-U.
;
Harendt C.
;
Wacker N.
;
Zimmermann M.
;
Burghartz J.N.
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
CMOS integrated circuits;
elemental semiconductors;
mixed analogue-digital integrated circuits;
piezoelectricity;
silicon;
3D circuit integration;
Kapton foil;
MOS transistor;
Si;
bendable electronic;
bulk control wafer;
chip surface;
digital-analog transistor;
electronic foil system;
in-house gate array technology;
mixed-signal circuit;
piezoresistive effect;
plastic electronic;
size 200 nm;
thin-film-transistor;
ultra-thin CMOS chip;
ultra-thin silicon chip;
electrochemical processes;
flexible structures;
piezoresist;
54.
The negative bias temperature instability vs. high-field stress paradigm
机译:
负偏置温度不稳定性与高场应力范例
作者:
Campbell J.P.
;
Cheung K.P.
;
Suehle J.S.
;
Oates A.S.
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
MOSFET;
electron traps;
high field effects;
transients;
electron de-trapping component;
electron trapping;
high field stress acceleration;
high field stress component;
high field stress degradation;
negative bias temperature instability;
transient degradation;
NBTI;
high-field stress;
55.
Unified TDDB model for stacked high-k dielectrics
机译:
堆叠高k电介质的统一TDDB模型
作者:
Byoung Hun Lee
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
electric breakdown;
silicon compounds;
SiOsub2/sub gate dielectric;
gate stack structure diversity;
integration processes;
intrinsic properties;
reliability test methods;
stacked high-k dielectrics;
time dependent dielectric breakdown characteristics;
High-k dielectric;
Reliability;
TDDB;
breakdown;
charge to breakdown;
56.
Combined altitude and underground real-time SER characterization of CMOS technologies on the ASTEP-LSM platform
机译:
在ASTEP-LSM平台上结合CMOS技术的高度和地下实时SER表征
作者:
Autran J.L.
;
Roche P.
;
Sauze S.
;
Gasiot G.
;
Munteanu D.
;
Loaiza P.
;
Zampaolo M.
;
Borel J.
;
Rozov S.
;
Yakushev E.
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
CMOS integrated circuits;
SRAM chips;
impurities;
integrated circuit testing;
nanotechnology;
neutron effects;
radiation hardening (electronics);
ASTEP-LSM platform;
SRAM;
altitude test platform;
decananometer CMOS technology;
neutron monitoring;
onchip radioactive impurities;
size 130 nm;
size 65 nm;
soft error rate characterization;
underground test platform;
SER simulation;
Single-Event Rate (SER);
accelerated tests;
alpha contamination;
atmospheric neutrons;
neutron-induced SER;
real-time testing;
static memory;
ter;
57.
Soft error estimates for fabless companies
机译:
无晶圆厂公司的软错误估算
作者:
Dixit A.
;
Heald R.
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
error statistics;
reliability;
semiconductor industry;
circuit simulation;
fabless companies;
memory companies;
microprocessor companies;
reliability issue;
soft error estimation;
soft error rate;
FIT rate;
fabless;
flip flop;
single error event;
soft error;
58.
A low-power multi-core media co-processor for mobile application processors
机译:
用于移动应用处理器的低功耗多核媒体协处理器
作者:
Nomura S.
;
Tachibana F.
;
Fujita T.
;
Chen Kong Teh
;
Usui H.
;
Yamane F.
;
Miyamoto Y.
;
Yamashita T.
;
Hara H.
;
Hamada M.
;
Tsuboi Y.
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
CMOS logic circuits;
cache storage;
coprocessors;
low-power electronics;
CMOS;
H.264 720p decoding;
L2 cache;
MPEG-4 AAC decoding;
bit rate 310 Mbit/s;
low-power circuit techniques;
low-power multi-core media co-processor;
mobile application processors;
multimedia processing;
on-chip regulators;
power 620 mW;
power 9.7 mW;
power-gating switches;
size 65 nm;
test chip fabricated;
body-bias;
flip-flop;
multi-core;
voltage regulator;
59.
Implementation of scalable interconnect networks for data reordering used in Discrete Trigonometric Transforms (DTT)
机译:
实现离散三角变换(DTT)中用于数据重新排序的可伸缩互连网络
作者:
Hussein A.
;
Suleiman A.
;
Kerkiz N.
;
Akopian D.
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
integrated circuit interconnections;
transforms;
data reordering;
discrete trigonometric transforms;
network scalability;
partial column structure;
processing elements;
scalable interconnect network;
transform size;
60.
Low-leakage electrostatic discharge protection circuit in 65-nm fully-silicided CMOS technology
机译:
采用65nm全硅化CMOS技术的低泄漏静电放电保护电路
作者:
Chang-Tzu Wang
;
Ming-Dou Ker
;
Tien-Hao Tang
;
Kuan-Cheng Su
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
CMOS integrated circuits;
electrostatic discharge;
integrated circuit technology;
thyristors;
CMOS process;
CMOS technology;
ESD detection circuit;
SCR device;
complementary metal-oxide-semiconductor integrated circuits;
current 96 nA;
gate current;
human-body-model;
low leakage electrostatic discharge protection circuit;
low leakage power-rail electrostatic discharge clamp circuit;
machine model;
power-rail ESD clamp circuit;
silicon controlled rectifiers;
size 65 nm;
standby leakage current;
voltage 325 V;
voltag;
61.
Custom design in a low-power/high-performance ASIC world
机译:
低功耗/高性能ASIC世界中的定制设计
作者:
Garibay T.
;
Reis R.
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
application specific integrated circuits;
clocks;
industrial property;
integrated circuit design;
low-power electronics;
grid clock;
intellectual property;
mesh clock;
compiled cache RAMs;
structured datapath;
tiling;
62.
One-transistor bistable-body tunnel SRAM
机译:
单晶体管双稳态隧道SRAM
作者:
Karda K.
;
Brockman J.
;
Sutar S.
;
Seabaugh A.
;
Nahas J.
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
MOSFET;
SRAM chips;
tunnel diodes;
MOS transistor current;
band-to-band tunneling;
bistability;
bistable-body tunnel SRAM;
body voltage;
metal-oxide-semiconductor field effect transistors;
one-transistor tunnel SRAM cell;
static random access memory;
threshold voltage;
tunnel diode pair;
SRAM;
TSRAM;
tunnel diode;
63.
Hot carrier stress effect on the performance of 65 nm CMOS low noise amplifier
机译:
热载流子应力对65 nm CMOS低噪声放大器性能的影响
作者:
Yehao Shen
;
Jaehong Lee
;
Hyungcheol Shin
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
CMOS integrated circuits;
MOSFET;
hot carriers;
low noise amplifiers;
CMOS low noise amplifier;
CMOS technology;
NMOSFETs;
biasing current;
figure of merit;
gate-drain capacitances;
gate-source;
hot carrier stress effect;
maximum substrate current;
noise figure;
subthreshold swing;
threshold voltage;
transconductance;
64.
Compact 6T SRAM cell with robust read/write stabilizing design in 45nm Monolithic 3D IC technology
机译:
紧凑的6T SRAM单元,具有采用45nm单片3D IC技术的可靠的读/写稳定设计
作者:
Thomas O.
;
Vinet M.
;
Rozeau O.
;
Batude P.
;
Valentian A.
会议名称:
《IC Design and Technology, 2009. ICICDT '09》
|
2009年
关键词:
SRAM chips;
monolithic integrated circuits;
technology CAD (electronics);
SRAM cell;
TCAD extractions;
monolithic 3D IC technology;
read/write stabilizing design;
3D IC;
45nm;
SRAM;
VT modulation;
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